Patent search ap:("华南理工大学") AND inv:"曾慧欣" Page 1

1.

发明公开
一种高矫顽力钕铁硼磁体及其制备方法无效

公开(公告)号：CN108565105A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810178869.3

申请日：2018-03-05

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘仲武 , 曾慧欣 , 李伟 , 赵利忠 , 张家胜 , 钟喜春 , 邱万奇

IPC: H01F41/02 , H01F1/057 , C23C10/30

Abstract: 本发明属于永磁材料领域，公开了一种高矫顽力钕铁硼磁体及其制备方法。首先制备熔点为450～950℃的低熔点非稀土合金，作为表面扩散介质，然后将表面扩散介质置于钕铁硼磁体表面，形成扩散偶，最后将形成扩散偶的钕铁硼磁体在真空下进行扩散热处理，得到高矫顽力钕铁硼磁体。本发明所述的表面扩散工艺过程简便有效，不使用稀土合金或化合物作为扩散介质，在明显降低了钕铁硼磁体中稀土元素含量的基础上，可有效改善磁体晶界相的分布，显著提高磁体的矫顽力。

Patent Agency Ranking