-
公开(公告)号:CN119798268A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202510295652.0
申请日:2025-03-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: C07D487/22 , C07D471/22 , C07F5/02 , C07F7/08 , C07F7/10 , C09K11/06 , H10K50/11 , H10K85/30 , H10K85/40 , H10K85/60
Abstract: 本发明公开了一种含八元氮杂稠环的有机半导体材料及其制备方法与应用。本发明的含八元氮杂稠环的有机半导体材料的结构式为式(I)‑式(IX)。本发明的含八元氮杂稠环的有机半导体材料可作为有机发光二极管中的发光材料使用,兼具高效深蓝光发射和窄半峰宽的特性,从而得到光电性能优异的有机电致发光器件,并最终实现有机电致发光在超高清显示领域上的应用。