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公开(公告)号：CN104201255A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410385834.9
申请日：2014-08-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/0075
Abstract: 本发明一种提升GaN基发光器件p型欧姆接触性能的方法，包括如下步骤：并对蓝宝石为基底的GaN基发光外延片的p型GaN进行激活处理；在p型GaN一侧制作100~300nm厚度的铟锡氧化物ITO层；在氮气环境中，对样品进行退火处理，退火温度恒定在450~550℃，退火时间1~15分钟；用酸溶液腐蚀，去除铟锡氧化物ITO；去除铟锡氧化物ITO后的样品表面进行传统结构的p型GaN欧姆接触工艺，完成p型接触电极的制作。采用本发明的方法，ITO退火后可以使得p型GaN表面的Ga2p的结合能下降，从而降低肖特基接触势垒高度，因此有利于获得更优异的欧姆接触特性。
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公开(公告)号：CN104281737B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201410385121.2
申请日：2014-08-06
Applicant: 华南理工大学 , 中国电器科学研究院有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种海上风电场集电系统拓扑结构选型方法，包括：评估海上风电场集电系统的建设成本；评估海上风电场的可靠性损失；评估海上风电场集电系统的经济成本；对海上风电场集电系统拓扑进行初步选型，获得最优拓扑集合；对海上风电场集电系统最优拓扑集合进行电气模块化建模仿真，在此基础上评估拓扑结构的送电量损失；评估海上风电场集电系统最优拓扑集合的综合成本；对海上风电场集电系统最优拓扑结构集合进行选型，选取最优海上风电场集电系统拓扑。本发明简单实用，将海上风电场拓扑结构选型中需要考虑的诸多因素统一归纳为成本，解决了量纲不一致的问题，使得结果更加简洁，有助于海上风电场集电系统拓扑结构的快速选型。
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公开(公告)号：CN104201255B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410385834.9
申请日：2014-08-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种提升GaN基发光器件p型欧姆接触性能的方法，包括如下步骤：并对蓝宝石为基底的GaN基发光外延片的p型GaN进行激活处理；在p型GaN一侧制作100~300 nm厚度的铟锡氧化物ITO层；在氮气环境中，对样品进行退火处理，退火温度恒定在450~550℃，退火时间1~15分钟；用酸溶液腐蚀，去除铟锡氧化物ITO；去除铟锡氧化物ITO后的样品表面进行传统结构的p型GaN欧姆接触工艺，完成p型接触电极的制作。采用本发明的方法，ITO退火后可以使得p型GaN表面的Ga2p的结合能下降，从而降低肖特基接触势垒高度，因此有利于获得更优异的欧姆接触特性。
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公开(公告)号：CN104281737A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410385121.2
申请日：2014-08-06
Applicant: 华南理工大学 , 中国电器科学研究院有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种海上风电场集电系统拓扑结构选型方法，包括：评估海上风电场集电系统的建设成本；评估海上风电场的可靠性损失；评估海上风电场集电系统的经济成本；对海上风电场集电系统拓扑进行初步选型，获得最优拓扑集合；对海上风电场集电系统最优拓扑集合进行电气模块化建模仿真，在此基础上评估拓扑结构的送电量损失；评估海上风电场集电系统最优拓扑集合的综合成本；对海上风电场集电系统最优拓扑结构集合进行选型，选取最优海上风电场集电系统拓扑。本发明简单实用，将海上风电场拓扑结构选型中需要考虑的诸多因素统一归纳为成本，解决了量纲不一致的问题，使得结果更加简洁，有助于海上风电场集电系统拓扑结构的快速选型。
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