公开(公告)号：CN114481029A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210066821.X

申请日：2022-01-20

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘江文 ,  赵伟 ,  张锦国 ,  符译元 ,  覃甲尧 ,  王辉 ,  欧阳柳章 ,  曾美琴 ,  朱敏

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C30B28/12 ,  C30B29/02 ,  C30B29/68 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B3/00

Abstract: 本发明公开了一种多晶复合超晶格结构薄膜的制备方法，包括以下步骤：将两种以上靶材分别安装在溅射靶位上，将清洗后的基底安装在溅射腔室的旋转底座上；对超高真空磁控溅射系统的溅射腔抽真空后，通入工作气体；工作气压稳定后，对每个靶材电源进行预溅射，清除靶材表面污染层；进行半共溅射：控制不同靶材功率和基底转速，使得基底在旋转过程中依次通过不同的靶材的上方，并且任意时间段内，最多有一种靶材原子到达基底表面，在基底表面得到多晶复合超晶格结构层；在多晶复合超晶格结构层的表面沉积保护层。本发明的制备方法生长速率快，成膜工艺简单，可重复性好，精细结构可控，可实现10层原子层厚度以下级别的超晶格结构。

公开(公告)号：CN108149211A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711499277.3

申请日：2017-12-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 刘江文 ,  张锦国 ,  符译元 ,  王辉 ,  欧阳柳章 ,  曾美琴 ,  朱敏

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明公开了一种Mg-TM超多层复合储氢薄膜及其制备方法。该Mg-TM超多层复合储氢薄膜，为Mg与TM原子层交替沉积成膜的Mg-TM复合薄膜，且Mg-TM复合薄膜的外表面具有Pd封盖层；所述TM为过渡族金属元素Ti、Ni或Nb。本发明采用廉价的超高真空磁控溅射系统的半共溅射工艺方法制备Mg-TM超多层复合储氢薄膜，制备工艺简单，成本低廉，可重复性好，制备得到具有Mg明显择优取向的高质量Mg-TM超多层复合储氢薄膜，且制备的薄膜具有更低的吸/脱氢温度和更快的吸/脱氢速率，在423K的温度以及1.15MPa的氢压下，500s吸氢量达到3.4wt％；在423K的温度下，600s脱氢量达到2.1wt％。