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公开(公告)号:CN107266703B
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN201710378541.1
申请日:2017-05-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种使用中性模板剂常温合成片层中微双孔HKUST‑1材料的方法。该方法包括如下步骤:一、将ZnO溶于水和N,N‑二甲基甲酰胺的混合溶液中,超声;二、将三水合硝酸铜溶于水中并充分搅拌至澄清;三、将步骤一和步骤二中的溶液混合,搅拌;四、将均苯三甲酸和模板剂十六烷基溴溶于乙醇中搅拌;五、将步骤三和步骤四中的溶液混合,搅拌;六、将所得产物抽滤、干燥,得到中微双孔HKUST‑1材料。本发明通过加入十六烷基溴作为模板剂,不仅操作简便,条件温和,同时也缩短了合成时间。产物呈现出片层结构,具有丰富的孔道,同时具有微孔、介孔两种孔道,不仅结构稳定,在大分子的吸附和催化方面也有较好的应用前景。
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公开(公告)号:CN107266703A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201710378541.1
申请日:2017-05-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种使用中性模板剂常温合成片层中微双孔HKUST-1材料的方法。该方法包括如下步骤:一、将ZnO溶于水和N,N-二甲基甲酰胺的混合溶液中,超声;二、将三水合硝酸铜溶于水中并充分搅拌至澄清;三、将步骤一和步骤二中的溶液混合,搅拌;四、将均苯三甲酸和模板剂十六烷基溴溶于乙醇中搅拌;五、将步骤三和步骤四中的溶液混合,搅拌;六、将所得产物抽滤、干燥,得到中微双孔HKUST-1材料。本发明通过加入十六烷基溴作为模板剂,不仅操作简便,条件温和,同时也缩短了合成时间。产物呈现出片层结构,具有丰富的孔道,同时具有微孔、介孔两种孔道,不仅结构稳定,在大分子的吸附和催化方面也有较好的应用前景。
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