公开(公告)号：CN114784123A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202210267957.7

申请日：2022-03-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  张景鸿 ,  李国强 ,  李灏 ,  孔德麒

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种非极性a面GaN基紫外光电探测器及其制备方法，紫外光电探测器包括紫外光电探测器外延片和沉积在紫外光电探测器外延片上的Si3N4钝化层，以及非对称MSM结构的肖特基叉指电极；紫外光电探测器外延片包括在r面蓝宝石衬底上依次生长的非极性a面AlN缓冲层、组分渐变的非极性a面AlxGa1‑xN缓冲层和非极性a面GaN外延层，x＝0.2～0.8；Si3N4钝化层设置在非极性a面GaN外延层上；肖特基叉指电极穿透Si3N4钝化层，与紫外光电探测器外延片上的非极性a面GaN外延层直接接触。本发明实现了高性能非极性a面GaN紫外光电探测器，降低了器件的暗电流，并增加了稳定性。

公开(公告)号：CN114242782A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111402684.4

申请日：2021-11-24

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王文樑 ,  江弘胜 ,  李国强 ,  李林浩 ,  张景鸿

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种N极性GaN/AlGaN基射频整流器及其制备方法，所述N极性GaN/AlGaN基射频整流器包括整流器外延片和设置在整流器外延片上的欧姆接触电极和SiNx/Al2O3钝化层以及肖特基接触电极，x＝1.35～1.45；整流器外延片包括在硅衬底上依次生长的AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN势垒层、AlN插入层和非掺杂GaN沟道层；欧姆接触电极和SiNx/Al2O3钝化层均设置在非掺杂GaN沟道层上；肖特基接触电极从SiNx/Al2O3钝化层表面通过刻蚀深入非掺杂GaN沟道层，并部分延伸至钝化层表面。本发明提供了一种具有高击穿电压、高截止频率的高性能射频整流器。