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公开(公告)号：CN118572399A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411061548.7
申请日：2024-08-05
Applicant: 广东盛路通信科技股份有限公司 , 华南理工大学 , 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于低轨卫星通信的圆极化天线，涉及圆极化天线技术领域，包括：第一PCB板、第一地面铜层、第二PCB板、第三PCB板、带线铜层、第二地面铜层；第一PCB板的上表面设置有第一贴片、第二贴片、第三贴片以及第四贴片，第一地面铜层位于第一PCB板的下表面，且第一地面铜层的中心开设有缝隙；第二PCB板位于第一地面铜层的下方；带线铜层设置于第二PCB板的下表面；第三PCB板位于带线铜层的下方；第二地面铜层位于第三PCB板的下表面，第二地面铜层设置有馈电孔，且馈电孔穿过第三PCB板并延伸至带线铜层，本发明在低仰角时，依旧保持低轴比且增益稳定的技术效果，能够较好地应用于低轨卫星通信中。
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公开(公告)号：CN109860996A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910153863.5
申请日：2019-03-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低剖面双极化滤波磁电偶极子天线，包括上层介质基板及下层介质基板，所述上层介质基板的上表面印刷辐射体结构，所述下层介质基板印刷缝隙耦合馈电网络结构；所述辐射体结构包括四块加载对称缝隙的寄生贴片，所述寄生贴片加载短路探针，所述缝隙耦合馈电网络结构包括两组正交放置的Y型馈电线及十字型缝隙，所述十字型缝隙印刷在金属地板上。通过在辐射体上寄生新型的缝隙结构增加带宽的同时能引入高滚降的边沿滤波效果，并结合具有滤波功能的缝隙耦合馈电网络实现良好的带通滤波特性且几乎不引入额外的插损。
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公开(公告)号：CN108232434A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711344181.X
申请日：2017-12-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低剖面全向辐射滤波偶极子天线，包括介质基板，所述介质基板上表面印制偶极子贴片、馈电微带线及U型微带线，所述介质基板下表面印制有金属地板，所述金属地板上开有两个I型缝隙及缝隙馈电槽线，所述两条缝隙设置在缝隙馈电槽线的两侧；所述偶极子贴片由通过微带线连接线连接的两块金属贴片构成，所述U型微带线设置在微带线连接线的上方，所述馈电微带线设置在微带线连接线的下方。本发明克服传统滤波天线插损大，电路结构复杂的缺陷，并且由于全向辐射的特性使得应用更加广泛。
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公开(公告)号：CN118572399B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411061548.7
申请日：2024-08-05
Applicant: 广东盛路通信科技股份有限公司 , 华南理工大学 , 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于低轨卫星通信的圆极化天线，涉及圆极化天线技术领域，包括：第一PCB板、第一地面铜层、第二PCB板、第三PCB板、带线铜层、第二地面铜层；第一PCB板的上表面设置有第一贴片、第二贴片、第三贴片以及第四贴片，第一地面铜层位于第一PCB板的下表面，且第一地面铜层的中心开设有缝隙；第二PCB板位于第一地面铜层的下方；带线铜层设置于第二PCB板的下表面；第三PCB板位于带线铜层的下方；第二地面铜层位于第三PCB板的下表面，第二地面铜层设置有馈电孔，且馈电孔穿过第三PCB板并延伸至带线铜层，本发明在低仰角时，依旧保持低轴比且增益稳定的技术效果，能够较好地应用于低轨卫星通信中。
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公开(公告)号：CN108493602B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810493019.2
申请日：2018-05-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q1/52 , H01Q15/00 , H01Q15/24 , H01Q19/10 , H01Q21/06 , H01Q21/00
Abstract: 本发明公开了一种双极化双工天线及其构成的双频基站天线阵列，包括顶层介质基板，顶层介质基板下方设置金属反射地板，顶层介质基板及金属反射地板之间设置竖直放置的实现双工工作的双工巴伦，所述双工巴伦包括竖直介质板，所述竖直介质板的正面印刷巴伦馈电线，所述竖直介质板的反面印刷开有槽线的地板；所述巴伦馈电线包括一个低通滤波器、一个高通滤波器以及作为连接的微带馈电结构，其中，所述的低通滤波器和所述的高通滤波器分别位于所述槽线的两侧，通过所述微带馈电结构连接，所述顶层介质基板上表面水平设置四个阵子臂，本发明无需额外的体积，天线自身集成双工滤波特性，可以实现很好的双频隔离度和通带内有效的辐射性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108493602A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810493019.2
申请日：2018-05-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q1/52 , H01Q15/00 , H01Q15/24 , H01Q19/10 , H01Q21/06 , H01Q21/00
Abstract: 本发明公开了一种双极化双工天线及其构成的双频基站天线阵列，包括顶层介质基板，顶层介质基板下方设置金属反射地板，顶层介质基板及金属反射地板之间设置竖直放置的实现双工工作的双工巴伦，所述双工巴伦包括竖直介质板，所述竖直介质板的正面印刷巴伦馈电线，所述竖直介质板的反面印刷开有槽线的地板；所述巴伦馈电线包括一个低通滤波器、一个高通滤波器以及作为连接的微带馈电结构，其中，所述的低通滤波器和所述的高通滤波器分别位于所述槽线的两侧，通过所述微带馈电结构连接，所述顶层介质基板上表面水平设置四个阵子臂，本发明无需额外的体积，天线自身集成双工滤波特性，可以实现很好的双频隔离度和通带内有效的辐射性能。
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公开(公告)号：CN109860996B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201910153863.5
申请日：2019-03-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低剖面双极化滤波磁电偶极子天线，包括上层介质基板及下层介质基板，所述上层介质基板的上表面印刷辐射体结构，所述下层介质基板印刷缝隙耦合馈电网络结构；所述辐射体结构包括四块加载对称缝隙的寄生贴片，所述寄生贴片加载短路探针，所述缝隙耦合馈电网络结构包括两组正交放置的Y型馈电线及十字型缝隙，所述十字型缝隙印刷在金属地板上。通过在辐射体上寄生新型的缝隙结构增加带宽的同时能引入高滚降的边沿滤波效果，并结合具有滤波功能的缝隙耦合馈电网络实现良好的带通滤波特性且几乎不引入额外的插损。
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公开(公告)号：CN109888478A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910188785.2
申请日：2019-03-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双极化磁电偶极子的多功能射频器件,包括双极化对称阵子辐射结构、馈电网络结构及反射板；所述双极化对称阵子辐射结构包括两个相互正交的垂直基板，在两个相互正交的垂直基板形成的每个区域内设置三块相互垂直的金属板，其中两块金属板垂直设置在反射板上，另一块金属板水平放置在这两块垂直于反射板的金属板上方；所述馈电网络结构由加载寄生钩形自耦合线的Γ型馈线构成，所述Γ型馈线的一个枝节加载钩形自耦合线，所述钩形自耦合线设置在垂直基板上。本发明无需额外改变电路结构，可以单独控制滤波器和天线信道，实现了双端口多功能射频器件。
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公开(公告)号：CN109037923A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810687107.6
申请日：2018-06-28
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q21/065
Abstract: 本发明公开了一种毫米波宽带滤波天线及其构成的MIMO天线阵列，从下往上包括两个垂直极化的馈电网络、馈电贴片及加载缺陷结构的寄生贴片；所述两个垂直极化的馈电网络结构相同，且上下间隔设置，所述馈电网络包括介质基板，所述介质基板的一个表面印制加载缝隙的金属地板，其另一表面印制末端延长型的馈电微带线；所述馈电贴片与其上层的寄生贴片耦合；所述末端延长型的馈电微带线是指将馈电微带线经过缝隙耦合后的部分延伸，并将延伸部分进行任意形状的弯折。本发明的辐射性能既能实现高滚降的滤波特性和高隔离度，又尽量保证不引入额外的插损以及多余的结构带来的占用面积。
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公开(公告)号：CN105098303A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510525835.3
申请日：2015-08-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种具有双频带滤波功能的功率分配器，包括上层微带结构、隔离电阻、中间介质基板和底层金属地板；上层微带结构包括四个谐振器、三条馈电线和一个隔离电阻。上层微带结构排布成上下对称的两个带通滤波电路。既能够实现中心频率可调的双通带滤波的特性，同时也具备功率分配比为1：1的功率分配器特性；谐振器采用在四分之一波长短路线谐振器上加载一个枝节，通过对各枝节长度的调节实现了中心频率独立可控的双频带通滤波特性；连接两个滤波网络的电阻实现了电路的3个端口的匹配和两输出端口的隔离；此外，利用源负载耦合引入四个传输零点，使得本发明不但具有很高的选择性和很好的阻带抑制效果，更有利于器件的集成化和小型化。
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