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公开(公告)号：CN117105687B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202310953557.6
申请日：2023-07-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/653
Abstract: 本发明公开了一种多孔高熵硼化物陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的多孔高熵硼化物陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和硼粉制成混合粉体；2)将混合粉体压制成生坯后进行硼热还原反应，再将得到的熟料取出进行研磨和过筛，得到含多种硼化物固溶体的熟料粉体；3)将熟料粉体压制成熟料坯体后进行电场烧结，即得多孔高熵硼化物陶瓷材料。本发明的多孔高熵硼化物陶瓷材料具有组分空间大、压缩强度高、热导率低等优点，且其制备方法具有操作简单、反应时间极短、设备要求低、工艺流程简单、合成成本低等优点，适合进行大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN117164361A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311002492.3
申请日：2023-08-09
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , F41H1/02 , F41H7/04
Abstract: 本发明公开了一种高熵碳化物陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的高熵碳化物陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和碳粉制成混合粉体；2)将混合粉体压制成生坯后进行碳热还原反应，再将得到的熟料取出进行研磨和过筛，得到熟料粉体；3)将熟料粉体压制成熟料坯体后进行电场烧结，即得高熵碳化物陶瓷材料。本发明的高熵碳化物陶瓷材料具有组分空间大、致密度高、无氧化物杂质相、力学性能优良等优点，且其制备方法具有操作简单、反应时间极短、设备要求低、工艺流程简单、合成成本低、能耗低等优点，适合进行组分筛选和大规模工业生产，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115196968A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210666824.7
申请日：2022-06-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种高熵硼化物陶瓷粉体及其制备方法和应用。本发明的高熵硼化物陶瓷粉体的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和硼粉混合进行研磨，得到混合粉体；2)将混合粉体加入钨方舟，再置于保护气氛中进行电场烧结，即得高熵硼化物陶瓷粉体。本发明的高熵硼化物陶瓷粉体具有组分空间巨大、纯度高、金属元素分布均匀、氧杂质含量低等优点，且其制备方法具有操作简单、升降温速度快、反应时间极短、设备要求低、工艺流程简单、合成成本低、对环境无污染等优点，适合进行大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN115286389B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210792516.9
申请日：2022-07-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种高熵碳化物陶瓷粉体及其制备方法和应用。本发明的高熵碳化物陶瓷粉体的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和碳粉混合进行研磨，得到混合粉体；2)将混合粉体平铺在石墨加热元件上，再用碳纸将混合粉体覆盖和固定，再置于保护气氛中进行电场烧结，即得高熵碳化物陶瓷粉体。本发明的高熵碳化物陶瓷粉体具有组分空间巨大、纯度高、金属元素分布均匀、氧杂质含量极低等优点，且其制备方法具有操作简单、升降温速度快、反应时间极短、设备要求低、工艺流程简单、成本低、对环境无污染等优点，适合进行大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN115196968B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210666824.7
申请日：2022-06-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种高熵硼化物陶瓷粉体及其制备方法和应用。本发明的高熵硼化物陶瓷粉体的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和硼粉混合进行研磨，得到混合粉体；2)将混合粉体加入钨方舟，再置于保护气氛中进行电场烧结，即得高熵硼化物陶瓷粉体。本发明的高熵硼化物陶瓷粉体具有组分空间巨大、纯度高、金属元素分布均匀、氧杂质含量低等优点，且其制备方法具有操作简单、升降温速度快、反应时间极短、设备要求低、工艺流程简单、合成成本低、对环境无污染等优点，适合进行大规模工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115286389A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210792516.9
申请日：2022-07-07
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种高熵碳化物陶瓷粉体及其制备方法和应用。本发明的高熵碳化物陶瓷粉体的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和碳粉混合进行研磨，得到混合粉体；2)将混合粉体平铺在石墨加热元件上，再用碳纸将混合粉体覆盖和固定，再置于保护气氛中进行电场烧结，即得高熵碳化物陶瓷粉体。本发明的高熵碳化物陶瓷粉体具有组分空间巨大、纯度高、金属元素分布均匀、氧杂质含量极低等优点，且其制备方法具有操作简单、升降温速度快、反应时间极短、设备要求低、工艺流程简单、成本低、对环境无污染等优点，适合进行大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN113666754A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110848763.1
申请日：2021-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/626 , C04B35/58 , C01B35/04 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种高熵硼化物纳米粉体及其制备方法和应用。本发明的高熵硼化物纳米粉体由HfCl4、ZrCl4、TaCl5、NbCl5、NaBH4、LiCl和KCl经过烧结、水洗和醇洗制成，其制备方法包括以下步骤：1)将HfCl4、ZrCl4、TaCl5、NbCl5、NaBH4、LiCl和KCl混合进行研磨，得到混合粉体；2)将混合粉体置于保护气氛中800℃～900℃进行烧结，再进行水洗、醇洗和干燥，即得高熵硼化物纳米粉体。本发明的高熵硼化物纳米粉体粒径细小、纯度高、成分均匀，且制备过程简单、对设备要求低、烧结温度低、无污染，适合进行大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN117164361B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311002492.3
申请日：2023-08-09
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , F41H1/02 , F41H7/04
Abstract: 本发明公开了一种高熵碳化物陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的高熵碳化物陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和碳粉制成混合粉体；2)将混合粉体压制成生坯后进行碳热还原反应，再将得到的熟料取出进行研磨和过筛，得到熟料粉体；3)将熟料粉体压制成熟料坯体后进行电场烧结，即得高熵碳化物陶瓷材料。本发明的高熵碳化物陶瓷材料具有组分空间大、致密度高、无氧化物杂质相、力学性能优良等优点，且其制备方法具有操作简单、反应时间极短、设备要求低、工艺流程简单、合成成本低、能耗低等优点，适合进行组分筛选和大规模工业生产，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117105687A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310953557.6
申请日：2023-07-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/653
Abstract: 本发明公开了一种多孔高熵硼化物陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的多孔高熵硼化物陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)将金属氧化物粉体和硼粉制成混合粉体；2)将混合粉体压制成生坯后进行硼热还原反应，再将得到的熟料取出进行研磨和过筛，得到含多种硼化物固溶体的熟料粉体；3)将熟料粉体压制成熟料坯体后进行电场烧结，即得多孔高熵硼化物陶瓷材料。本发明的多孔高熵硼化物陶瓷材料具有组分空间大、压缩强度高、热导率低等优点，且其制备方法具有操作简单、反应时间极短、设备要求低、工艺流程简单、合成成本低等优点，适合进行大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN117105671A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310953560.8
申请日：2023-07-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/66
Abstract: 本发明公开了一种高熵硼化物陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明的高熵硼化物陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：1)将至少四种金属二硼化物粉体置于保护气氛中进行研磨，得到混合粉体；2)将混合粉体压制成生坯，再将生坯装入由表面涂覆六方氮化硼的石墨纸制成的盒子，再嵌入石墨毡，再置于保护气氛中将石墨毡通电对生坯进行电场烧结，即得高熵硼化物陶瓷材料。本发明的高熵硼化物陶瓷材料具有组分空间巨大、金属元素分布均匀、性能可调控等优点，且其合成工艺简单、反应时间极短、设备要求低、合成成本低，有利于进行大规模工业生产。
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