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公开(公告)号：CN1434534A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03113882.9
申请日：2003-03-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及化学电源领域，更详细地是锌镍二次电池的制备方法以及该方法所制备的锌镍二次电池。其制备方法是用隔膜纸将正极片与负极片隔开，层叠在一起卷成筒状套进电池壳中，注入电解液，正极片与作为正极集流体的电池壳相接触，负极片通过导电端子与负极帽焊接相连，最后对电池进行封口、包装、贮存。所得锌镍二次电池具有电压高、放电容量大、循环寿命长、内阻小、大电流放电性能优异，以及无环境污染等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1208864C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN03113884.5
申请日：2003-03-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01M6/04
Abstract: 本发明涉及一种以β型羟基氧化镍为正极活性物质，金属锌合金粉为负极活性物质，氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液为电解液的锌镍一次电池及其正极的制备方法，该电池的结构与碱性锌锰电池的相类似，均采用反极式结构，即正极与作为电池壳的金属壳相接触；用维尼龙、聚丙烯或聚乙烯无纺布制作的隔膜筒装载负极锌膏并起将正负电极隔离的作用；将已焊接相联的铜针与铜网集流体插入负极锌膏中作为负极的集流体。正极是采用泡沫镍、镍网或镍带为导电基体，将氢氧化镍及其添加剂涂敷于导电基体上，然后浸入碱性电解槽中进行电解化而制得。本发明制备的锌镍一次电池具有电压高、放电比能量大、内阻小、大电流放电性能优异等特点。
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公开(公告)号：CN1434529A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03113884.5
申请日：2003-03-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01M6/04
Abstract: 本发明涉及一种以β型羟基氧化镍为正极活性物质，金属锌合金粉为负极活性物质，氢氧化钾或氢氧化钠的碱性水溶液为电解液的锌镍一次电池及其正极的制备方法，该电池的结构与碱性锌锰电池的相类似，均采用反极式结构，即正极与作为电池壳的金属壳相接触；用维尼龙、聚丙烯或聚乙烯无纺布制作的隔膜简装载负极锌膏并起将正负电极隔离的作用；将已焊接相联的铜针与铜网集流体插入负极锌膏中作为负极的集流体。正极是采用泡沫镍、镍网或镍带为导电基体，将氢氧化镍及其添加剂涂敷于导电基体上，然后浸入碱性电解槽中进行电解化成而制得。本发明制备的锌镍一次电池具有电压高、放电比能量大、内阻小、大电流放电性能优异等特点。
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公开(公告)号：CN1283022C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN03113882.9
申请日：2003-03-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及化学电源领域，更详细地是锌镍二次电池的制备方法以及该方法所制备的锌镍二次电池。其制备方法是用隔膜纸将正极片与负极片隔开，层叠在一起卷成筒状套进电池壳中，注入电解液，正极片与作为正极集流体的电池壳相接触，负极片通过导电端子与负极帽焊接相连，最后对电池进行封口、包装、贮存。所得锌镍二次电池具有电压高、放电容量大、循环寿命长、内阻小、大电流放电性能优异，以及无环境污染等优点。
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公开(公告)号：CN1226194C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN03113883.7
申请日：2003-03-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及电池材料领域，更详细地是锌镍一次电池、锌镍二次电池以及其它以镍的化合物为活性物质的电池如镉镍电池、金属氢化物镍电池、铁镍电池等的正极材料羟基氧化镍的制备方法以及该方法制备的纳米级羟基氧化镍。该纳米级羟基氧化镍的制备是以二价镍盐为原料，以次氯酸钠为氧化剂，在碱性水溶液中同时进行沉淀反应和氧化反应，反应过程采用超声波进行振荡分散；制备得到的纳米级羟基氧化镍的粒径细小均匀、比表面积大、初始放电比容量高、自放电率低、电性能稳定、操作工艺简单易行、晶体结构容易控制。
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公开(公告)号：CN1433970A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03113883.7
申请日：2003-03-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及电池材料领域，更详细地是锌镍一次电池、锌镍二次电池以及其它以镍的化合物为活性物质的电池如镉镍电池、金属氢化物镍电池、铁镍电池等的正极材料羟基氧化镍的制备方法以及该方法制备的纳米级羟基氧化镍。该纳米级羟基氧化镍的制备是以二价镍盐为原料，以次氯酸钠为氧化剂，在碱性水溶液中同时进行沉淀反应和氧化反应，反应过程采用超声波进行振荡分散；制备得到的纳米级羟基氧化镍的粒径细小均匀、比表面积大、初始放电比容量高、自放电率低、电性能稳定、操作工艺简单易行、晶体结构容易控制。
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