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公开(公告)号：CN116535210B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202310388194.6
申请日：2023-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/495 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种铌酸钠基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用；所述陶瓷材料的分子式为(1‑x)NaNbO3‑xBi0.2Sr0.7SnO3，其中，0.10≤x≤0.20。本发明通过将钠源、铌源、铋源、锶源、锡源分别按分子式中Na，Nb，Bi，Sr，Sn的化学计量比混合均匀，煅烧合成陶瓷粉体；将所述陶瓷粉体成型、排胶后，进行烧结、退火，得到所述陶瓷材料。本发明提供了一种新型掺杂策略及制备技术，工艺简单，操作方便，适用于陶瓷电容器以及高功率脉冲系统中介质电容器的制备和应用，为提高铌酸钠基反铁电陶瓷材料的储能特性提供了新思路。
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公开(公告)号：CN116535231B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202310388192.7
申请日：2023-04-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高比强度多孔莫来石陶瓷及其制备方法。该方法包括：将氧化铝、二氧化硅、助溶剂、晶须催化剂、造孔剂在球磨机中进行湿混，得到湿料，将湿料干燥、研磨、过筛，得到混合干粉；在所述混合干粉中加入粘结剂，研磨混合均匀，过筛，压制成型，干燥后得到陶瓷生坯，置于高温炉中烧结，得到所述高比强度多孔莫来石陶瓷。本发明多孔陶瓷的强度是通过原位生长晶须强韧化的方法来保证的，使用晶须催化剂可以促进二次莫来石晶须的生长，同时抑制陶瓷基体的致密化，在提高陶瓷孔隙率的同时保证其强度不降低，从而得到具有较高孔隙率、抗弯强度的高比强度多孔莫来石陶瓷。该方法工艺简便，操作方便，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN118543347A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410563321.6
申请日：2024-05-08
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明提供了一步合成高活性Bi/Bi2WO6/ZnO复合光催化剂的方法。本发明将ZnO加入到乙二醇(EG)溶剂中，然后以五水合硝酸铋(Bi(NO3)3.5H2O)和偏钨酸铵水合物为原料，十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂，通过溶剂热法一步合成出高活性Bi/Bi2WO6/ZnO肖特基结‑异质结光催化剂，制备过程简单、成本低，反应条件温和、易控，且结晶度高、杂质少。由于在Bi、Bi2WO6和ZnO之间构成界面，可见光吸收及活性位点大增，与单一的ZnO相比较，具有更加优异的光催化活性。
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公开(公告)号：CN116535231A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310388192.7
申请日：2023-04-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高比强度多孔莫来石陶瓷及其制备方法。该方法包括：将氧化铝、二氧化硅、助溶剂、晶须催化剂、造孔剂在球磨机中进行湿混，得到湿料，将湿料干燥、研磨、过筛，得到混合干粉；在所述混合干粉中加入粘结剂，研磨混合均匀，过筛，压制成型，干燥后得到陶瓷生坯，置于高温炉中烧结，得到所述高比强度多孔莫来石陶瓷。本发明多孔陶瓷的强度是通过原位生长晶须强韧化的方法来保证的，使用晶须催化剂可以促进二次莫来石晶须的生长，同时抑制陶瓷基体的致密化，在提高陶瓷孔隙率的同时保证其强度不降低，从而得到具有较高孔隙率、抗弯强度的高比强度多孔莫来石陶瓷。该方法工艺简便，操作方便，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN116535210A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310388194.6
申请日：2023-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/495 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种铌酸钠基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用；所述陶瓷材料的分子式为(1‑x)NaNbO3‑xBi0.2Sr0.7SnO3，其中，0.10≤x≤0.20。本发明通过将钠源、铌源、铋源、锶源、锡源分别按分子式中Na，Nb，Bi，Sr，Sn的化学计量比混合均匀，煅烧合成陶瓷粉体；将所述陶瓷粉体成型、排胶后，进行烧结、退火，得到所述陶瓷材料。本发明提供了一种新型掺杂策略及制备技术，工艺简单，操作方便，适用于陶瓷电容器以及高功率脉冲系统中介质电容器的制备和应用，为提高铌酸钠基反铁电陶瓷材料的储能特性提供了新思路。
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