公开(公告)号：CN114373865B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202111526590.8

申请日：2021-12-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  陈嘉颖 ,  何小斌 ,  林静

IPC: H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种钙钛矿/GaAs单结杂化太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池，包括自下而上依次层叠的背面电极、n型掺杂的砷化镓层、钙钛矿层、石墨烯层、正面电极；所述钙钛矿层包括MaSn0.5Pb0.5I3、MASnI3、CsSnI2Br中一种以上。本发明还公开了太阳能电池的制备方法。本发明的太阳能电池具有抗辐照性、高转换效率、带隙可调、开启电压高的优点，并且具有宽的吸收光谱。而且本发明中钙钛矿在GaAs与石墨烯之间形成的电子势垒，有利于减少载流子复合，从而提高短路电流及转换效率，同时有利于降低制作成本。

公开(公告)号：CN114373865A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111526590.8

申请日：2021-12-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  陈嘉颖 ,  何小斌 ,  林静

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种钙钛矿/GaAs单结杂化太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池，包括自下而上依次层叠的背面电极、n型掺杂的砷化镓层、钙钛矿层、石墨烯层、正面电极；所述钙钛矿层包括MaSn0.5Pb0.5I3、MASnI3、CsSnI2Br中一种以上。本发明还公开了太阳能电池的制备方法。本发明的太阳能电池具有抗辐照性、高转换效率、带隙可调、开启电压高的优点，并且具有宽的吸收光谱。而且本发明中钙钛矿在GaAs与石墨烯之间形成的电子势垒，有利于减少载流子复合，从而提高短路电流及转换效率，同时有利于降低制作成本。

公开(公告)号：CN114093955A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111207028.9

申请日：2021-10-15

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  莫由天 ,  何小斌 ,  林静

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于太阳电池的技术领域，公开了一种碳纳米纤维掺杂氧化镍空穴传输层的砷化镓太阳电池及其制备。所述砷化镓太阳电池包括依次层叠的背面电极、砷化镓衬底、碳纳米纤维掺杂氧化镍空穴传输层、正面电极；碳纳米纤维掺杂氧化镍空穴传输层通过以下方法得到：将氧化镍前驱体溶液与碳纳米纤维混匀，旋涂于砷化镓衬底表面，干燥，退火。所述碳纳米纤维通过以下方法得到：将将基底清洗干净后，置于内焰中进行燃烧，在基底表面获得碳纳米纤维，去除基底。本发明还公开了太阳电池的制备方法。本发明采用碳纳米纤维掺杂氧化镍提升了空穴传输层的电导率，降低器件的层间电阻。本发明的太阳电池具有较好的光电性能。本发明的方法简单、成本低。

公开(公告)号：CN114093955B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202111207028.9

申请日：2021-10-15

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  莫由天 ,  何小斌 ,  林静

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18