公开(公告)号：CN114464694B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202210023552.9

申请日：2022-01-10

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 龙明珠 ,  栾佳宏 ,  黄莉 ,  周国富

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括绝缘衬底；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极相互间隔设置在绝缘衬底上；锡掺杂氧化钼/硅异质结结构，锡掺杂氧化钼/硅异质结结构连接第一电极和第二电极，锡掺杂氧化钼/硅异质结结构为锡掺杂氧化钼层和硅层形成的异质结。根据本申请实施例的光电探测器，至少具有如下有益效果：本方案所提供的光电探测器通过锡掺杂氧化钼在其中引入杂化能级，实现红外光的高吸收率，并且将掺杂后的氧化钼进一步和硅形成具有理想界面的二维材料异质结，锡掺杂氧化钼/硅异质结界面可以形成内建电场，有效分离光生电子空穴对，从而使得近红外光电探测器具备超快的响应时间。

公开(公告)号：CN114464694A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210023552.9

申请日：2022-01-10

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 龙明珠 ,  栾佳宏 ,  黄莉 ,  周国富

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括绝缘衬底；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极相互间隔设置在绝缘衬底上；锡掺杂氧化钼/硅异质结结构，锡掺杂氧化钼/硅异质结结构连接第一电极和第二电极，锡掺杂氧化钼/硅异质结结构为锡掺杂氧化钼层和硅层形成的异质结。根据本申请实施例的光电探测器，至少具有如下有益效果：本方案所提供的光电探测器通过锡掺杂氧化钼在其中引入杂化能级，实现红外光的高吸收率，并且将掺杂后的氧化钼进一步和硅形成具有理想界面的二维材料异质结，锡掺杂氧化钼/硅异质结界面可以形成内建电场，有效分离光生电子空穴对，从而使得近红外光电探测器具备超快的响应时间。

公开(公告)号：CN115968209A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211633023.7

申请日：2022-12-19

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 龙明珠 ,  黄莉 ,  林吕杨 ,  周国富

IPC: H10K30/10 ,  H10K85/50 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，其光电探测器包括：(1)导电衬底；(2)绝缘层；(3)二维无机半导体层，设于绝缘层的表面；(4)二维钙钛矿层，设于二维无机半导体层表面；(5)第一金属电极设于二维无机半导体层的表面；(6)第二金属电极设于二维钙钛矿表面，第一金属电极与第二金属电极分别用作光电探测器的正负极。二维钙钛矿单晶的化学式为A2A’n‑1PbnX3n+1；其中，其中A为胺基有机阳离子；A’为甲胺、甲脒或碱金属一价阳离子，X为卤素，n为正整数。该二维钙钛矿单晶和二维硫化钼形成的异质结层有利于光生载流子的分离和传输，提高光电探测器在可见光波长区域的探测率。