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公开(公告)号：CN113881918A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111131940.0
申请日：2021-09-26
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种金属酞菁纳米线阵列及其制备方法与应用，所述金属酞菁纳米线阵列的制备方法包括步骤：S1，取表面具有沟道阵列的宝石作为衬底，对所述沟道阵列进行疏水处理；S2，取金属酞菁经物理气相沉积于经所述步骤S1处理的衬底表面形成若干金属酞菁纳米线，得到金属酞菁纳米线阵列。本发明公开的制备方法通过对表面具有沟道阵列的蓝宝石衬底进行表面疏水处理，再结合传统的PVD生长方法生长金属酞菁纳米线阵列，制备出的金属酞菁纳米线阵列水平有序、定向笔直、缺陷少，制备流程简单，成本低廉，可用于大规模生产，为基于金属酞菁纳米线批量构筑研发各种微纳光电器件提供理想的材料平台。
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公开(公告)号：CN118458685A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410472020.2
申请日：2024-04-18
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及一种基于全氟酞菁铜有机纳米线的柔性人工突触器件及其制备方法和应用。本发明的制备方法在带有定向全氟酞菁铜纳米线阵的柔性衬底上溅射一定厚度的ITO电极，制备得到了具有人工突触功能的器件，该制备方法不仅简化了纳米线人工突触的制作流程，而且从根本上避免了二次转移排列等步骤对纳米线人工突触的性能影响。制备得到的人工突触器件不仅具有良好的人工突触功能，而且柔性可变形特点，还可以具有全透明特点，有望应用于更多特定场景。
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公开(公告)号：CN117082950A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311093575.8
申请日：2023-08-28
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及一种基于溶液法定向组装毫米级纳米线的方法及纳米线和应用，属于纳米材料生长领域。本发明的制备方法采用基于三明治结构自组装体系的溶液蒸发法，无需高温和低压的制备环境，设备要求低，操作简单，制备的CsPbI3纳米线拥有毫米级长度，可应用于半导体器件、微纳米光电器件。
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公开(公告)号：CN114973911A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210486233.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种PUF图案的制作方法及其应用和防伪标签，该制作方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，对所述表面进行疏水处理；通过物理气相沉积在所述表面制备半导体纳米线阵列；再获取所述半导体纳米线阵列的形貌图像数据，并进行数字化处理，形成对应的PUF编码信息，得到PUF图案。其中，半导体纳米线阵列在生长过程中受物理气相沉积的固有工艺缺陷影响，纳米线形貌的产生具有随机性，其对应形貌图像数值具有随机性和唯一性，进而可用于实现PUF功能，形成PUF编码信息，获得PUF图案，以上制作方法简单，设备简易，普适性强，适用于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN119118192A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411160291.0
申请日：2024-08-22
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种水平导向CsPbBr3纳米线阵列的制备方法。所述的制备方法，包括以下步骤：S1、将含聚二甲基硅氧烷的混合物刮涂于沟道阵列模板，加热固化，剥离，得到带有沟道阵列的聚二甲基硅氧烷薄膜；S2、清洗基底并进行疏水改性，得到疏水基底；S3、取CsPbBr3溶液，加入表面活性剂，得到混合液；S4、将所述混合液滴加到疏水基底表面，覆盖带有沟道阵列的聚二甲基硅氧烷薄膜，压实，加热，剥离，得到水平导向CsPbBr3纳米线阵列。本发明提供的水平导向CsPbBr3纳米线阵列的制备方法，步骤简单，耗时短，效率高，所得CsPbBr3纳米线阵列水平排列整齐、连续性好、结晶质量高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117550549A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311482177.5
申请日：2023-11-08
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明提供了一种通过复制DVD光盘沟道在柔性基底定向生长纳米线的方法及纳米线阵和应用，所述方法通过将DVD光盘分为若干块，依次剥离保护层、金属反射层、光敏层，得到透明的聚碳酸酯板，即得到所述的带有沟道阵列的模板，然后通过PDMS混合剂加热后固化复制，即可在高分子柔性薄膜上直接生长有机小分子纳米线。该方法通过对光盘进行回收，利用光盘底部聚碳酸酯表面的纳米级凹槽阵列作为模板，且利用该模板生长的纳米线具有分布均匀性好、取向性好、稳定性好和质量高等优点；解决了柔性基板纳米线生产模板制作的难题，具有操作安全、流程简易、节约环保等优点，易于大规模推广，可应用于柔性光电探测器产品中。
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公开(公告)号：CN117123447A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311093526.4
申请日：2023-08-28
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明提供了一种生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵和应用，所述的方法包括：对M面蓝宝石衬底进行退火，使其表面形成平行排列的水平纳米沟道；将蓝宝石衬底进行表面疏水改性处理，使其表面接触角大于95°；采用气相沉积法在蓝宝石衬底表面生长DAAQ纳米线。工艺流程简化，安全且易于操作，一步实现DAAQ纳米线的生长和对准，得到的纳米线具有形貌优势，且具有高结晶度并表现出晶体取向偏好生长模式，可应用于有机场效应晶体管、有机发光二极管、有机光伏电池或光电探测器产品中。
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公开(公告)号：CN116471908A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310423199.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明提供了一种有机纳米线阵形成方法及有机纳米线阵、光电器件。所述的有机纳米线阵形成方法包括步骤S1：施压条件下，使自润滑聚合物材料在衬底上按照设定方向摩擦，在所述衬底表面形成丝状转移膜；步骤S2：将有机纳米线原料沉积到具有丝状转移膜的衬底表面，形成有机纳米线阵。该方法只需通过调整摩擦路径即可改变模板形状实现不同排列的纳米线，大大简化模板的制备流程，降低模板改变时的成本，适用性强。制备得到的纳米线阵可用于基于小分子半导体有机物的微纳光电器件等。
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公开(公告)号：CN114927615A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210485343.6
申请日：2022-05-06
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，然后在该表面制备栅电极，再在栅电极的表面制备介质层；对介质层的表面进行疏水处理，然后通过物理气相沉积在其上制备有机半导体纳米线阵列层，最后在有机半导体纳米线阵列层的表面制备源电极和漏电极。通过该方法，可有效控制有机半导体纳米线阵列中的纳米线定向有序生长，进而可便于后续源漏电极的制作，整体制作流程简单，易于操作，生产效率高。
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公开(公告)号：CN117163916A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311093570.5
申请日：2023-08-28
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明提供了定向摩擦装置、构建纳米沟道的方法、定向生长纳米线阵的方法及纳米线阵和应用。所述的定向摩擦的装置，可在非晶基底快速形成有一定取向的纳米级沟道阵列，构建的沟道阵列面积可控，并且可以通过调整砂纸的目数、调整摩擦装置的施压块个数来控制沟道的宽度、密度以及深度；进而对非晶基底进行疏水改性，利用PVD方法可在该具有定向摩擦纳米沟道阵列的基底上生长得到具有分布均匀性好、取向性好、稳定性好的MPc纳米阵列；得到的纳米线阵可应用于有机场效应晶体管、光电探测器产品中。
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