-
公开(公告)号:CN112260770A
公开(公告)日:2021-01-22
申请号:CN202011102490.8
申请日:2020-10-15
Applicant: 华南师范大学
IPC: H04B15/00
Abstract: 本发明公开了一种高功率电接触微波无源器件互调干扰抑制装置,在高功率电接触微波无源器件后端级联一滤波器件,且滤波器件频率参数的设定依据解析的自热效应无源互调干扰信号的频率成分确定,也就是说,将高功率电接触微波无源器件自热效应产生的互调干扰信号的频率成份设定在滤波器件的禁止频段之内,那么,滤波器件可以准确地滤除无源互调干扰信号,因此,本发明对高功率电接触微波无源器件自热效应导致的互调干扰有较好的抑制效果。
-
公开(公告)号:CN112260770B
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202011102490.8
申请日:2020-10-15
Applicant: 华南师范大学
IPC: H04B15/00
Abstract: 本发明公开了一种高功率电接触微波无源器件互调干扰抑制装置,在高功率电接触微波无源器件后端级联一滤波器件,且滤波器件频率参数的设定依据解析的自热效应无源互调干扰信号的频率成分确定,也就是说,将高功率电接触微波无源器件自热效应产生的互调干扰信号的频率成份设定在滤波器件的禁止频段之内,那么,滤波器件可以准确地滤除无源互调干扰信号,因此,本发明对高功率电接触微波无源器件自热效应导致的互调干扰有较好的抑制效果。
-
公开(公告)号:CN209372741U
公开(公告)日:2019-09-10
申请号:CN201821753371.7
申请日:2018-10-26
Applicant: 华南师范大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本实用新型涉及一种二氧化硫传感器。本实用新型所述的二氧化硫传感器包括:底座、陶瓷管、第一导线、第二导线以及电阻丝,所述陶瓷管外包裹有石墨涂层,所述石墨涂层外电沉积地生长有金属氧化物涂层,并作为P极,所述金属氧化物涂层外电沉积地生长有二氧化锡涂层,并作为N极;所述金属氧化物涂层和所述二氧化锡涂层连接并形成半导体薄膜;所述第一导线的中部与所述金属氧化物涂层连接,且其两端分别固定在所述底座上;所述第二导线的中部与所述二氧化锡涂层连接,且其两端分别固定在所述底座上;所述电阻丝贯穿所述陶瓷管的内孔,且其两端分别固定在所述底座上。本实用新型所述的二氧化硫传感器具有检测精度保持稳定的优点。
-
-