公开(公告)号：CN109795982A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811648671.3

申请日：2018-12-30

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 理查德·内策尔 ,  王朋 ,  周国富 ,  斯特凡诺·桑吉内蒂

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种纳米线阵列，所述纳米线阵列中的各纳米线紧密贴合，通过侧壁彼此接触形成三维致密层状结构，其中所述纳米线为InGaN基材料。本发明进一步提供了一种具有上述纳米线阵列的光电子器件，所述纳米线阵列外延生长在衬底表面上。本发明还提供了制造上述纳米线阵列和光电子器件的方法。

公开(公告)号：CN109841500B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201811559460.2

申请日：2018-12-19

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 理查德·内策尔 ,  王朋 ,  周国富 ,  斯特凡诺·桑吉内蒂

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供了一种在Si衬底上制备InGaN外延层的方法以及通过该方法生产的硅基InGaN外延层。本发明的方法包括以下步骤：1)在Si衬底上直接生长第一InGaN层；和，2)在所述第一InGaN层上生长第二InGaN层。

公开(公告)号：CN109841500A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811559460.2

申请日：2018-12-19

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 理查德·内策尔 ,  王朋 ,  周国富 ,  斯特凡诺·桑吉内蒂

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供了一种在Si衬底上制备InGaN外延层的方法以及通过该方法生产的硅基InGaN外延层。本发明的方法包括以下步骤：1)在Si衬底上直接生长第一InGaN层；和，2)在所述第一InGaN层上生长第二InGaN层。