公开(公告)号：CN113511987B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202110660541.7

申请日：2021-06-15

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 陈家文 ,  孟家慧 ,  黄文婷 ,  龙桂英 ,  周国富

IPC: C07C255/54 ,  C07C253/30 ,  C09K19/58

Abstract: 本发明公开了一种手性光敏掺杂剂及其制备方法与应用，该光敏掺杂剂中包含有光敏基团，光敏基团为大位阻烯烃结构，同时大位阻烯烃结构具有点手性及轴手性；大位阻烯烃结构作为光响应型手性材料动态调控液晶的螺旋结构，通过光异构化实现了分子内螺旋性反转，从而赋予了胆甾相液晶螺旋结构手性反转的能力。与相关技术相比，以大位阻烯烃结构为基础的手性光敏掺杂剂，具有更高的可设计性和可操作性，从而实现了体系的多功能动态调控。此外，本发明的制备原料来源简单，价格便宜，合成方法相对简单，非常适用于工业化生产。

公开(公告)号：CN114335332A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111428655.5

申请日：2021-11-29

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 侯志鹏 ,  王亚栋 ,  孟家慧 ,  陈家文 ,  高兴森

IPC: H01L43/12 ,  G11C11/15

Abstract: 一种利用光致应变诱导产生及擦除磁性斯格明子的方法，包括以下步骤：S1：在偶氮苯液晶薄膜上通过磁控溅射制备具有介于垂直各向异性与水平各向异性之间的临界各向异性的磁性多周期膜；S2：通过微纳加工技术在步骤S1制得的磁性多周期膜上制备磁性纳米点阵列；S3：利用光诱导产生斯格明子：通过施加355～375nm的光脉冲，产生斯格明子；S4：利用光擦除斯格明子：通过施加510～530nm的光脉冲，使斯格明子态不能稳定存在，回复为铁磁态。本发明还提供一种磁性斯格明子的写入及擦除装置，包括磁性多周期膜、光致应变衬底和光诱导单元。本发明的方法和装置产生和擦除斯格明子消耗的能量较低，器件稳定性强，有利于器件微型化发展。

公开(公告)号：CN113511987A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110660541.7

申请日：2021-06-15

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 陈家文 ,  孟家慧 ,  黄文婷 ,  龙桂英 ,  周国富

IPC: C07C255/54 ,  C07C253/30 ,  C09K19/58

Abstract: 本发明公开了一种手性光敏掺杂剂及其制备方法与应用，该光敏掺杂剂中包含有光敏基团，光敏基团为大位阻烯烃结构，同时大位阻烯烃结构具有点手性及轴手性；大位阻烯烃结构作为光响应型手性材料动态调控液晶的螺旋结构，通过光异构化实现了分子内螺旋性反转，从而赋予了胆甾相液晶螺旋结构手性反转的能力。与相关技术相比，以大位阻烯烃结构为基础的手性光敏掺杂剂，具有更高的可设计性和可操作性，从而实现了体系的多功能动态调控。此外，本发明的制备原料来源简单，价格便宜，合成方法相对简单，非常适用于工业化生产。