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公开(公告)号：CN109502545A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811179844.1
申请日：2018-10-10
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种硒化锗基太阳光分解水产氢电子器件及其制备方法，其包括衬底，位于所述衬底上的背电极层，位于所述电极层上的硒化锗吸收层，位于所述硒化锗吸收层上的缓冲层，位于所述缓冲层上的保护层以及附着于所述保护层上的金属纳米颗粒，从而能够实现在外加偏压下高效地分解水产生氢气。本发明利用硒化锗禁带宽度与太阳光谱非常匹配(1.15eV)，光吸收系数大，原材料便宜无毒、生长温度低的特点，首次将其设计为吸收层材料应用于太阳光分解水产氢器件，从而制备出硒化锗基太阳光分解水产氢器件，该器件在光照下分解水产氢的效率已突破1％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109502545B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201811179844.1
申请日：2018-10-10
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L31/0216 , C01B3/04 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化锗基太阳光分解水产氢电子器件及其制备方法，其包括衬底，位于所述衬底上的背电极层，位于所述电极层上的硒化锗吸收层，位于所述硒化锗吸收层上的缓冲层，位于所述缓冲层上的保护层以及附着于所述保护层上的金属纳米颗粒，从而能够实现在外加偏压下高效地分解水产生氢气。本发明利用硒化锗禁带宽度与太阳光谱非常匹配(1.15eV)，光吸收系数大，原材料便宜无毒、生长温度低的特点，首次将其设计为吸收层材料应用于太阳光分解水产氢器件，从而制备出硒化锗基太阳光分解水产氢器件，该器件在光照下分解水产氢的效率已突破1％。
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公开(公告)号：CN108335911B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810061496.1
申请日：2018-01-22
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及一种太阳光分解水产氢微电子器件及其制备方法，其包括CZTS太阳电池、BiVO4光阳极、导线以及Pt片，其中所述CZTS太阳电池、所述BiVO4光阳极及Pt片通过所述导线连接，实现无外偏压的串联结构半导体器件用于光解水制氢气，无需额外电源，直接利用太阳光便可实现自发分解水制氢，从而实现氢能的所有来源都是太阳光，且太阳光直接发电稳定、无毒、原料廉价，能够实现氢能制取真正意义上的清洁、低廉、环保、环境友好，并且可再生。
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公开(公告)号：CN108922927A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810643732.0
申请日：2018-06-21
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0326 , H01L31/02167 , H01L31/03923 , H01L31/1876
Abstract: 本发明涉及一种稳定的化合物半导体太阳光分解水产氢电子器件、电极系统及其制备方法。该太阳光分解水产氢电子器件依次包括衬底、背电极、CZTS吸收层、缓冲层、宽带隙半导体保护层以及纳米金属颗粒层，并且采用喷雾热解随后硫化退火的方法制备CZTS吸收层，采用化学水浴沉积法制备缓冲层，采用化学水浴沉积法或原子层沉积法制备宽带隙半导体保护层，其制备方法简单，并且制备出的器件结构，可以利用太阳能，在外加偏压下,即可实现高效、稳定地产生氢气。
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公开(公告)号：CN108335911A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810061496.1
申请日：2018-01-22
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及一种太阳光分解水产氢微电子器件及其制备方法，其包括CZTS太阳电池、BiVO4光阳极、导线以及Pt片，其中所述CZTS太阳电池、所述BiVO4光阳极及Pt片通过所述导线连接，实现无外偏压的串联结构半导体器件用于光解水制氢气，无需额外电源，直接利用太阳光便可实现自发分解水制氢，从而实现氢能的所有来源都是太阳光，且太阳光直接发电稳定、无毒、原料廉价，能够实现氢能制取真正意义上的清洁、低廉、环保、环境友好，并且可再生。
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公开(公告)号：CN108922927B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810643732.0
申请日：2018-06-21
Applicant: 华南师范大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种稳定的化合物半导体太阳光分解水产氢电子器件、电极系统及其制备方法。该太阳光分解水产氢电子器件依次包括衬底、背电极、CZTS吸收层、缓冲层、宽带隙半导体保护层以及纳米金属颗粒层，并且采用喷雾热解随后硫化退火的方法制备CZTS吸收层，采用化学水浴沉积法制备缓冲层，采用化学水浴沉积法或原子层沉积法制备宽带隙半导体保护层，其制备方法简单，并且制备出的器件结构，可以利用太阳能，在外加偏压下,即可实现高效、稳定地产生氢气。
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