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公开(公告)号：CN109526981B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811547445.6
申请日：2018-12-18
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米复合材料g‑C3N4/Ni及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：(1)将g‑C3N4、负载金属材料和NaH2PO2加入到三乙醇胺溶液中，在密闭条件下超声混合均匀，得到混合液A；(2)在保护性气体氛围下，将步骤(1)中得到的混合液A用强光照射进行光沉积，待光沉积结束后抽滤，清洗，得到纳米复合材料g‑C3N4/Ni。本发明首次发现负载金属Ni离子后显著提高材料自身的抑菌活性，其对大肠杆菌、黄单胞杆菌、伯克氏菌、铜绿假单胞菌等细菌、以及黑粉菌和镰刀菌等真菌都有很好的抑制作用，为诸多植物病害的防治提供了更加绿色环保的新型材料，也为植保防治提供新的途径。
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公开(公告)号：CN110935483B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201911143604.0
申请日：2019-11-20
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明提供一种半导体NbNO纳米棒及其制备方法与应用，其制备方法包括：提供NbCl5，700‑900℃下煅烧，得到NbO纳米棒，将所得NbO纳米棒置于氨气氛围下煅烧，煅烧温度为700‑900℃，得到所述半导体NbNO纳米棒。本发明NbNO半导体光催化剂的制备方法操作简单，适用性广，重复性好，适用范围广，在降低光催化成本和在光催化制氢方面提供了一种可靠的方案。
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公开(公告)号：CN110935482A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911143602.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明提供一种半导体NbNO纳米片及其制备方法与应用，其制备方法包括：提供NbCl5、氧化石墨烯和溶剂，混合均匀，然后加入水，混合均匀，固液分离，将所得固体置于500℃以上的温度中煅烧，得到NbO纳米片，将所述NbO纳米片置于氨气氛围下煅烧，煅烧温度为700-900℃，得到所述NbNO纳米片。本发明的半导体NbNO纳米片可有效应用于光催化反应体系中，特别是在光催化分解水产氢气体系中可发挥高效的催化作用。本发明NbNO半导体光催化剂的制备方法操作简单，适用性广，重复性好，适用范围广，在降低光催化成本和光催化制氢方面提供了一种可靠的方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109526981A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811547445.6
申请日：2018-12-18
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米复合材料g-C3N4/Ni及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：(1)将g-C3N4、负载金属材料和NaH2PO2加入到三乙醇胺溶液中，在密闭条件下超声混合均匀，得到混合液A；(2)在保护性气体氛围下，将步骤(1)中得到的混合液A用强光照射进行光沉积，待光沉积结束后抽滤，清洗，得到纳米复合材料g-C3N4/Ni。本发明首次发现负载金属Ni离子后显著提高材料自身的抑菌活性，其对大肠杆菌、黄单胞杆菌、伯克氏菌、铜绿假单胞菌等细菌、以及黑粉菌和镰刀菌等真菌都有很好的抑制作用，为诸多植物病害的防治提供了更加绿色环保的新型材料，也为植保防治提供新的途径。
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公开(公告)号：CN109107597A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811011191.6
申请日：2018-08-31
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明提供了一种过渡金属磷化物/g-C3N4复合材料及其制备方法与应用。所述的过渡金属磷化物/g-C3N4复合材料，通过将过渡金属磷化物负载在g-C3N4上，可以显著降低光生电子和空穴的复合及降低析氢过电势，从而提升了g-C3N4光催化反应活性，所述的过渡金属磷化物/g-C3N4复合材料可应用在光催化反应体系特别是光催化分解水产氢气体系中。本发明所述的制备方法能够提高过渡金属磷化物与g-C3N4的界面结合性能，继而提高催化活性，另外所述制备方法操作简单、适用性广、重复性好、适用范围广，为降低光催化成本和在光催化制氢方面提供了一种可靠的方案。
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公开(公告)号：CN116288726A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310281092.4
申请日：2023-03-20
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶半导体CdS纳米片及其制备方法和应用，涉及光催化纳米材料技术领域。本发明通过气相沉积法制备得到了单晶半导体CdS纳米片，所述单晶半导体CdS纳米片具有窄的带隙，且吸收带边缘为590nm，可见光吸收能力强，具有优异的光催化效果，且由于不需要与其它半导体复合来提升稳定性，能够最大限度地展现出CdS的光催化性能，尤其适用于光催化水分解产氢中。
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公开(公告)号：CN110935483A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911143604.0
申请日：2019-11-20
Applicant: 华南农业大学
Abstract: 本发明提供一种半导体NbNO纳米棒及其制备方法与应用，其制备方法包括：提供NbCl5，700-900℃下煅烧，得到NbO纳米棒，将所得NbO纳米棒置于氨气氛围下煅烧，煅烧温度为700-900℃，得到所述半导体NbNO纳米棒。本发明NbNO半导体光催化剂的制备方法操作简单，适用性广，重复性好，适用范围广，在降低光催化成本和在光催化制氢方面提供了一种可靠的方案。
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