一种兜兰的水雾栽培方法及其装置

    公开(公告)号:CN101204134A

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200710032410.4

    申请日:2007-12-13

    CPC classification number: Y02P60/216

    Abstract: 本发明公开了一种兜兰的水雾栽培方法,选择透气性良好的基质和水雾培养方法结合栽培。本发明同时公开了一种实现所述水雾栽培方法的装置,将放置兰盆的盆架放于下部和四周密封且具有喷雾和送风设施的栽培架上,定期通风并喷雾。本发明方法能够迅速促进兜兰新根的萌发,减少死根、烂根现象,同时促进地上部生长迅速、健壮,显著提高成活率和成株的品质,且设备成本低,操作简单。

    一种兜兰的水雾栽培方法

    公开(公告)号:CN101204134B

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN200710032410.4

    申请日:2007-12-13

    CPC classification number: Y02P60/216

    Abstract: 本发明公开了一种兜兰的水雾栽培方法,选择透气性良好的基质和水雾培养方法结合栽培。本发明同时公开了一种实现所述水雾栽培方法的装置,将放置兰盆的盆架放于下部和四周密封且具有喷雾和送风设施的栽培架上,定期通风并喷雾。本发明方法能够迅速促进兜兰新根的萌发,减少死根、烂根现象,同时促进地上部生长迅速、健壮,显著提高成活率和成株的品质,且设备成本低,操作简单。

    春石斛花期调控方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1555691A

    公开(公告)日:2004-12-22

    申请号:CN200410015028.9

    申请日:2004-01-08

    Abstract: 本发明涉及花卉花期调控技术。使用含有多效唑和脱落酸的混合溶液,在春石斛假鳞茎叶片完全展开后,进行叶面喷施或灌施,以促进假鳞茎的成熟,10-15天后,用含有噻苯隆的溶液进行叶面喷施或灌施,以诱导花芽的形成。该方法能有效诱导春石斛开花,提高品质,且成本低,操作简便。

    春石斛花期调控方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1225964C

    公开(公告)日:2005-11-09

    申请号:CN200410015028.9

    申请日:2004-01-08

    Abstract: 本发明涉及花卉花期调控技术。使用含有多效唑和脱落酸的混合溶液,在春石斛假鳞茎叶片完全展开后,进行叶面喷施或灌施,以促进假鳞茎的成熟,10-15天后,用含有噻苯隆的溶液进行叶面喷施或灌施,以诱导花芽的形成。该方法能有效诱导春石斛开花,提高品质,且成本低,操作简便。

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