抑制InAs量子点中In偏析的生长方法

    公开(公告)号:CN105869993A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610213336.5

    申请日:2016-04-07

    Inventor: 乔良

    CPC classification number: H01L21/02601 B82Y30/00 B82Y40/00 H01L21/02546

    Abstract: 本发明公开了抑制InAs量子点中In偏析的生长方法,包括步骤:A、在衬底上生长缓冲层;B、在缓冲层上生长InAs量子点层;C、在InAs量子点层上预沉积In原子层;D、在In原子层上生长AlAs层;E、在AlAs层上生长GaAs盖层。本发明通过预沉积In原子层后,可以很好地抑制InAs量子点层中In原子的偏析,从而抑制In原子的偏析带来的波长蓝移,即相对于现有技术,可使得响应波长红移,向通信领域使用的1.3μm波长靠近,能很好地应用于1.3~1.5μm波长的通信领域中,而且PL的强度有了明显提高、半波峰更窄,发光特性更好,可广泛应用于InAs量子点生长领域中。

    一种应急管理用危险品数据信息跟踪追溯系统

    公开(公告)号:CN111221304A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201911250647.9

    申请日:2019-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种应急管理用危险品数据信息跟踪追溯系统,属于危险品追溯系统领域。一种应急管理用危险品数据信息跟踪追溯系统,通过具体工程实践,总结新技术、新方法,获取了高效、科学的应急管理危险品的溯源系统,同时对项目实施过程中出现的问题进行分析,着重指出各个环节中容易出现的问题,对后续类似项目的开展具有一定的借鉴意义,并且优化了目前的应急管理危险品的溯源系统在溯源过程中的流程,减少了作业步骤和作业时间。

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