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公开(公告)号：CN106877171B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201710247852.4
申请日：2017-04-17
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H01S5/042
Abstract: 一种半导体激光器电源电路，包括电源电路包括脉冲源(pulse)，电源(VCC)，第一二极管(D1)，第二二极管(D2)，电感(L)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)，第三电阻(R3)，第四电阻(R4)，第五电阻(R5)，第六电阻(R6)，第七电阻(R7)，第一电容(C1)，第二电容(C2)，第三电容(C3)，第一三极管(THY1)，第二三极管(THY2)，第一半导体激光器(LD1)，第二半导体激光器(LD2)，以及比较器(COMP1)。
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公开(公告)号：CN105811233B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201610264836.1
申请日：2016-04-20
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H01S3/09 , H01S5/042 , H02M7/5387
Abstract: 一种全桥逆变电路激光器驱动电路，包括输入端，其中输入端包括正输入端vin+和负输入端vin‑，正输入端分别连接到电容C1的一端以及绝缘栅型场效应晶体管IGBT1和IGBT3的集电极，负输入端vin‑分别连接到电容C1另外一端以及绝缘栅型场效应晶体管IGBT2和IGBT4的发射极，IGBT1，IGBT2，IGBT3，IGBT4的门极分别经电阻R1，R2，R4，R5连接到微处理器MCU。
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公开(公告)号：CN106877171A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710247852.4
申请日：2017-04-17
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/042
Abstract: 一种半导体激光器电源电路，包括电源电路包括脉冲源(pulse)，电源(VCC)，第一二极管(D1)，第二二极管(D2)，电感(L)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)，第三电阻(R3)，第四电阻(R4)，第五电阻(R5)，第六电阻(R6)，第七电阻(R7)，第一电容(C1)，第二电容(C2)，第三电容(C3)，第一三极管(THY1)，第二三极管(THY2)，第一半导体激光器(LD1)，第二半导体激光器(LD2)，以及比较器(COMP1)。
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公开(公告)号：CN105610039A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610118777.7
申请日：2016-03-01
Applicant: 华北电力大学(保定)
Abstract: 一种固体激光装置，包括泵浦源(1)，由前腔镜(2)和后腔镜(4)组成的谐振腔，谐振腔内部具有固体激光棒(3)，处于后腔镜(4)后面的二向色镜(5)，其将由后腔镜(4)透射出来的剩余泵浦光反射到至少一个反射镜(6)上，至少一个反射镜(6)将剩余泵浦光反射回固体激光棒(3)，其中剩余泵浦光(10)被反射回固体激光棒(3)的位置处，固体激光棒(3)上具有泵浦光引导环层(9)，泵浦光引导环层沿激光棒(3)的圆周覆盖在激光棒(3)的周围，剩余泵浦光穿过泵浦光引导环层之后再进入固体激光棒，其中泵浦光引导环层的作用是利于将剩余泵浦光(10)引导进入激光棒(3)，泵浦光引导环层(9)的位置为距离泵浦光入射端的距离大于固体激光棒(3)长度的三分之一小于三分之二。
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公开(公告)号：CN105483654A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610044372.3
申请日：2016-01-22
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: C23C16/515 , C23C16/24
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置，所述装置包括射频阴极、匹配网络、射频源、进气口、排气口、样品、下电极、绝缘支柱、热电偶测温测加热系统、脉冲偏压源、腔体、废气处理系统、总流量控制器、分子泵和机械泵。其中，腔体为金属反应腔，射频阴极、样品、下电极以及绝缘支柱设置在腔体内。进气口和出气口设置在腔体上。射频阴极与下电极相对设置，二者之间形成等离子放电区，所述样品置于等离子放电区内，脉冲偏压源为下电极提供偏压，输出电压为60-200V。本发明的用于生成纳米晶硅薄膜的装置，具有结构简单，易于操控，生长的纳米晶硅薄膜质量优良的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106877172A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710255175.0
申请日：2017-04-19
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/0428
Abstract: 一种半导体激光器脉冲驱动电路，包括脉冲源(pulse)，电源(VCC)，第一二极管(D1)，第二二极管(D2)，第三二极管(D3)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)，第三电阻(R3)，第四电阻(R4)，第一电容(C1)，第二电容(C2)，第三电容(C3)，第一三极管(THY1)，第二三极管(THY2)，以及半导体激光器(LD)。
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公开(公告)号：CN105568250A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610048208.X
申请日：2016-01-22
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: C23C16/24 , C23C16/02 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/02 , C23C16/0227 , C23C16/513
Abstract: 本发明提供一种PECVD沉积氢化纳米晶硅薄膜的制备方法，所述方法包括：样品制备步骤、样品准备步骤、抽真空步骤、通气步骤、射频发生步骤、加偏压步骤和生长步骤等。本发明通过调节脉冲偏压参数来控制纳米晶硅成核，降低了纳米晶硅薄膜中的缺陷态，形成了一种高晶化度低缺陷态的镶嵌纳米晶硅的氢化纳米晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN106877172B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201710255175.0
申请日：2017-04-19
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H01S5/042
Abstract: 一种半导体激光器脉冲驱动电路，包括脉冲源(pulse)，电源(VCC)，第一二极管(D1)，第二二极管(D2)，第三二极管(D3)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)，第三电阻(R3)，第四电阻(R4)，第一电容(C1)，第二电容(C2)，第三电容(C3)，第一三极管(THY1)，第二三极管(THY2)，以及半导体激光器(LD)。
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公开(公告)号：CN105811233A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610264836.1
申请日：2016-04-20
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H01S3/09 , H01S5/042 , H02M7/5387
CPC classification number: H01S3/09 , H01S5/042 , H02M7/5387
Abstract: 一种全桥逆变电路激光器驱动电路。其中C1为直流滤波电容，D1，D2，D3，D4，L2，Cd为输出整流滤波电路，R1，R2，R3，R4为驱动电阻，MCU为控制器。
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公开(公告)号：CN105679652A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610044708.6
申请日：2016-01-22
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L29/423 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/401 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L29/42364
Abstract: 本发明提供一种制备nc-Si/SiOx薄膜MIS结构器件的方法，所述方法包括：样品制备步骤、样品准备步骤、抽真空步骤、通气步骤、射频发生步骤、加偏压步骤、薄膜生长步骤等。本发明通过加衬底负偏压控制等离子体的能量和离子流密度，增大了N2O分解的氧离子和Si结合速率同时抑制了氮粒子和Si的结合，避免和衬底上的硅活性基团生成Si-N键，减少膜中载流子陷阱的形成，从而提高薄膜的载流子输运效率。
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