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公开(公告)号：CN108387831B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201810565170.2
申请日：2018-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种3000A半导体器件的功率循环试验系统。该系统包括：焊接式半导体器件测试柜、压接式半导体器件测试柜、控制柜和水冷系统；控制柜与焊接式半导体器件测试柜或压接式半导体器件测试柜电连接；控制柜内的电源放置区设置3000A直流电源；水冷系统通过管道与测试柜连接；焊接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测焊接式半导体器件组，每组所述待测焊接式半导体器件组均包括多个待测焊接式半导体器件；压接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测压接式半导体器件组，每组待测压接式半导体器件组均包括多个待测压接式半导体器件。本发明可同时测试三个以上数量的半导体
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公开(公告)号：CN113805023B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010460936.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统。压接型功率半导体器件，将每一半导体芯片的栅极分别连接于PCB板的接口端子上，以便于对压接型功率半导体器件中的每一半导体芯片的结温进行测量，进而提高温度分布测量的准确性。压接型功率半导体器件的温度分布测量系统，通过采用时序驱动电路使得待测压接型功率半导体器件进行周期开断，以模拟压接型功率半导体器件在不同工况下的发热情况。且通过与测量支路开关的时序配合，能够实现各半导体芯片的结温分布的时序准确测量，突破了现有测量方法仅能获得各半导体芯片平均结温的局限性。
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公开(公告)号：CN108802590B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201810652147.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种半导体器件的功率循环测试方法及系统。本发明提供的功率循环测试方法及测试系统，对包括多条并联连接的测试支路的功率循环测试装置，能够根据当前时刻导通的测试支路开关的驱动脉冲信号确定下一条要导通的测试支路的驱动脉冲信号，不仅使得多条测试支路能够交替循环进行加热和降温，利用一条测试支路的降温时间对其他测试支路进行加热，极大地提高了功率循环测试的效率，而且还可以保证各测试支路开关交替循环导通，从而使直流电源能够持续输出恒定直流电，避免直流电源由于反复开关导致的老化问题，从而提高了直流电源长期运行的可靠性，进一步提高了功率循环测试装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN108802590A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810652147.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2642
Abstract: 本发明公开一种半导体器件的功率循环测试方法及系统。本发明提供的功率循环测试方法及测试系统，对包括多条并联连接的测试支路的功率循环测试装置，能够根据当前时刻导通的测试支路开关的驱动脉冲信号确定下一条要导通的测试支路的驱动脉冲信号，不仅使得多条测试支路能够交替循环进行加热和降温，利用一条测试支路的降温时间对其他测试支路进行加热，极大地提高了功率循环测试的效率，而且还可以保证各测试支路开关交替循环导通，从而使直流电源能够持续输出恒定直流电，避免直流电源由于反复开关导致的老化问题，从而提高了直流电源长期运行的可靠性，进一步提高了功率循环测试装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN112526312B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202011508777.0
申请日：2020-12-18
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件的多应力作用测试系统及方法。所述系统包括：直流电流源、电流测试支路开关、直流电压源、电压测试支路开关和多个并联的测试支路；测试支路包括测量电流支路和被测器件支路；测量电流支路包括串联的测量电流源和测量电流开关；被测器件支路包括多个被测IGBT器件，相邻两个被测IGBT器件通过串并联转换电路连接；各测试支路均通过一个电流测试支路开关与直流电流源连接；各测试支路均通过一个电压测试支路开关与直流电压源连接。本发明解决了测试准确性低、金钱成本高、时间成本高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108387831A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810565170.2
申请日：2018-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种3000A半导体器件的功率循环试验系统。该系统包括：焊接式半导体器件测试柜、压接式半导体器件测试柜、控制柜和水冷系统；控制柜与焊接式半导体器件测试柜或压接式半导体器件测试柜电连接；控制柜内的电源放置区设置3000A直流电源；水冷系统通过管道与测试柜连接；焊接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测焊接式半导体器件组，每组所述待测焊接式半导体器件组均包括多个待测焊接式半导体器件；压接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测压接式半导体器件组，每组待测压接式半导体器件组均包括多个待测压接式半导体器件。本发明可同时测试三个以上数量的半导体器件，测试效率高；能够满足对不同封装形式的器件的测试的需求；操作简单。
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公开(公告)号：CN113805023A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010460936.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统。压接型功率半导体器件，将每一半导体芯片的栅极分别连接于PCB板的接口端子上，以便于对压接型功率半导体器件中的每一半导体芯片的结温进行测量，进而提高温度分布测量的准确性。压接型功率半导体器件的温度分布测量系统，通过采用时序驱动电路使得待测压接型功率半导体器件进行周期开断，以模拟压接型功率半导体器件在不同工况下的发热情况。且通过与测量支路开关的时序配合，能够实现各半导体芯片的结温分布的时序准确测量，突破了现有测量方法仅能获得各半导体芯片平均结温的局限性。
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公开(公告)号：CN112526312A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011508777.0
申请日：2020-12-18
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种IGBT器件的多应力作用测试系统及方法。所述系统包括：直流电流源、电流测试支路开关、直流电压源、电压测试支路开关和多个并联的测试支路；测试支路包括测量电流支路和被测器件支路；测量电流支路包括串联的测量电流源和测量电流开关；被测器件支路包括多个被测IGBT器件，相邻两个被测IGBT器件通过串并联转换电路连接；各测试支路均通过一个电流测试支路开关与直流电流源连接；各测试支路均通过一个电压测试支路开关与直流电压源连接。本发明解决了测试准确性低、金钱成本高、时间成本高的问题。
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公开(公告)号：CN111818683A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010701570.9
申请日：2020-07-20
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种功率器件的加热装置，涉及加热技术领域。该加热装置包括单面加热板和双面加热板；待加热装置设置于单面加热板与双面加热板之间；单面加热板包括：第一铝板和第一加热板；第一铝板的一面与第一加热板接触，第一铝板的另一面与待加热装置接触；双面加热板包括：第二铝板、第二加热板和第三铝板；第二加热板的一面与第二铝板的一面接触，第二加热板的另一面与第三铝板的一面接触，第二铝板的另一面和/或第三铝板的另一面与待加热装置接触。该加热装置可以对同一待加热装置的两面同时进行加热，使加热温度更均匀。
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公开(公告)号：CN208207142U
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201820853898.0
申请日：2018-06-04
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型公开了一种3000A半导体器件的功率循环试验系统。该系统包括：焊接式半导体器件测试柜、压接式半导体器件测试柜、控制柜和水冷系统；控制柜与焊接式半导体器件测试柜或压接式半导体器件测试柜电连接；控制柜内的电源放置区设置3000A直流电源；水冷系统与测试柜管道连接；焊接式半导体器件测试柜内设置多组待测焊接式半导体器件组，每组所述待测焊接式半导体器件组均包括多个待测焊接式半导体器件；压接式半导体器件测试柜内设置多组待测压接式半导体器件组，每组待测压接式半导体器件组均包括多个待测压接式半导体器件。本实用新型可同时测试三个以上数量的半导体器件，测试效率高；能够满足对不同封装形式的器件的测试的需求；操作简单。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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