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发明公开
一种量子点发光二极管及制作方法审中-实审

公开(公告)号：CN114583087A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210372331.2

申请日：2022-04-11

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 王福芝 , 刘怡娜 , 朱晓东 , 王洋 , 李美成 , 白一鸣

IPC: H01L51/52 , H01L51/50 , H01L51/56

Abstract: 本发明提供了一种量子点发光二极管及制作方法，量子点发光二极管包括顶发射量子点发光二极管与底发射量子点发光二极管两种结构，在顶发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层或者在底发射量子点发光二极管的出光侧增加光路调整层，增加光路调整层不仅可以增加量子点发光二极管发出的光的出射截面面积，而且该光路调整层还可以对量子点发光二极管发出的光进行折射，从而对光进行光路调整，光路的调整可以提高光的出射几率并且可以提高器件各个角度的出光均匀性。增加光的出射面积、提高光的出射几率以及提高器件各个角度的出光均匀性可以让该量子点发光二极管的光提取效率得到了明显提升。

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