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公开(公告)号：CN103073194B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310008117.X
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法。本发明的方法采用一步水热反应法，将氧化铝薄片和FTO衬底同时放入高压反应釜中，在反应体系中使ZnNO3.·6H2O和乌洛托品水溶液进行水热反应。反应一段时间后，冷却至室温，得ZnO纳米柱和ZnO纳米片层的复合结构材料。此材料兼具了纳米阵列结构的电子直线传输通道功能,又提高了光阳极的比表面积，保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力；片层结构直接生长于FTO，提高了光阳极材料和FTO之间的接触能力，更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流，在DSSC领域具有广泛的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN103101965A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310064604.8
申请日：2013-02-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于纳米材料技术领域的一种具有均匀表面修饰的ZnO纳米柱材料的制备方法，此方法使Zn(CH3COO)2、乌洛托品水溶液进行水热反应，制备的ZnO纳米柱材料结构形貌均一，且具有排列均匀的凹坑进行表面修饰。将此材料与P25进行物理掺杂，得到的复合结构兼具了ZnO纳米柱的电子直线传输通道功能，又因P25的加入提高光阳极的比表面积，P25可很好的填充于氧化锌纳米柱表面的凹坑中，保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力，增强了两种材料的表面接触，降低了两种结构之间的界面复合。相对于单纯的氧化锌纳米柱更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流。
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公开(公告)号：CN103073194A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310008117.X
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法。本发明的方法采用一步水热反应法，将氧化铝薄片和FTO衬底同时放入高压反应釜中，在反应体系中使ZnNO3.·6H2O和乌洛托品水溶液进行水热反应。反应一段时间后，冷却至室温，得ZnO纳米柱和ZnO纳米片层的复合结构材料。此材料兼具了纳米阵列结构的电子直线传输通道功能, 又提高了光阳极的比表面积，保证了高的电子传输效率以及大的染料吸附能力；片层结构直接生长于FTO，提高了光阳极材料和FTO之间的接触能力，更有益于提高DSSC的开路电压和短路电流，在DSSC领域具有广泛的实际应用价值。
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