一种新型5G频段超宽频两路合路器

    公开(公告)号:CN215732141U

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202121716758.7

    申请日:2021-07-27

    Abstract: 本实用新型公开了一种新型5G频段超宽频两路合路器,克服了现有技术的生产性低、结构复杂导致的制造成本高的问题,包括腔体,腔体内设有第二滤波器和第一滤波器,第一滤波器与第二滤波器并联,还包括介质支撑和增设与介质支撑上的调试螺杆,介质支撑包括低通介质支撑和高通介质支撑,调试螺杆包括低通调试螺杆和高通调试螺杆,低通介质支撑位于第一滤波器上,低通调试螺杆与低通介质支撑连接,高通介质支撑位于第二滤波器上,高通调试螺杆与高通介质支撑连接,还包括分别罩设在腔体内外部的内盖板和外盖板。本实用新型低通滤波器的等效电容和高通滤波器的等效电容都可以进行调试,显著提高了可生产性,结构简单,制造成本低。

    一种提高5G智能物联网终端并行检测数量的规划方法

    公开(公告)号:CN115550988A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211034046.6

    申请日:2022-08-26

    Abstract: 本发明公开了一种提高5G智能物联网终端并行检测数量的规划方法。能够克服现有技术中5G网络可以承载的5G智能物联网终端数量与每批次待检测的5G物联网终端数量不匹配从而导致检测效率下降的问题,本发明包括:确定检测单个5G智能物联网终端使用的上行的PRB数、下行的PRB数和持续周期,确定5G网络在周期内提供的PRB数,确定5G网络的候选时隙配置,确定5G网络的特殊子帧配置,获取不同无线信号强度和信噪比下的并行在线检测的5G智能物联网终端数以及配置。能够提高检测效率,降低企业生产成本。

    一种抗5G基站干扰滤波器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112436255B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202011156662.X

    申请日:2020-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种抗5G基站干扰滤波器,包括有腔体以及与腔体密封连接的盖板,若干输入端口和若干输出端口对称设置在腔体的两侧,所述腔体内设置有树突隔离板,以树突隔离板为对称将腔体设置为依次连通的第一谐振腔室、第二谐振腔室和第三谐振腔室、第四谐振腔室,多节链式杆从输入端口沿着第一谐振腔室、第二谐振腔室、第三谐振腔室以及第四谐振腔室延伸至输出端口,所述多节链式杆的节点上均设置有谐振器,所述腔体与盖板之间留有间隙,所述间隙内填充有导热硅胶,所述盖板内表层涂覆有电磁屏蔽磁薄膜。本发明设计的装置最终经过调试可以达到低插入损耗、低回波损耗、高带外抑制性能、高功率容量及尺寸较小的设计目标。

    一种抗5G基站干扰滤波器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112436255A

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN202011156662.X

    申请日:2020-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种抗5G基站干扰滤波器,包括有腔体以及与腔体密封连接的盖板,若干输入端口和若干输出端口对称设置在腔体的两侧,所述腔体内设置有树突隔离板,以树突隔离板为对称将腔体设置为依次连通的第一谐振腔室、第二谐振腔室和第三谐振腔室、第四谐振腔室,多节链式杆从输入端口沿着第一谐振腔室、第二谐振腔室、第三谐振腔室以及第四谐振腔室延伸至输出端口,所述多节链式杆的节点上均设置有谐振器,所述腔体与盖板之间留有间隙,所述间隙内填充有导热硅胶,所述盖板内表层涂覆有电磁屏蔽磁薄膜。本发明设计的装置最终经过调试可以达到低插入损耗、低回波损耗、高带外抑制性能、高功率容量及尺寸较小的设计目标。

    一种抗干扰滤波器
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN213782230U

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202022401379.0

    申请日:2020-10-26

    Abstract: 本实用新型公开了一种抗干扰滤波器,包括有腔体以及与腔体密封连接的盖板,其特征在于,若干输入端口和若干输出端口对称设置在腔体的两侧,所述腔体内设置有树突隔档板,第一谐振腔室、第二谐振腔室以及第三谐振腔室、第四谐振腔室对称设置在树突隔档板的两侧,所述第一谐振腔室、第二谐振腔室、第三谐振腔室以及第四谐振腔室依次连通的,多节链式杆从输入端口沿着第一谐振腔室、第二谐振腔室、第三谐振腔室以及第四谐振腔室延伸至输出端口,所述多节链式杆的节点上均设置有谐振器。本实用新型设计的装置最终经过调试可以达到低插入损耗、低回波损耗、高带外抑制性能、高功率容量及尺寸较小的设计目标。

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