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公开(公告)号：CN119921184A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510232042.6
申请日：2025-02-28
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了一种隧道结级联多有源区分布式反馈半导体激光器及其制造方法，其外延结构包括衬底、缓冲层、发光区域、光栅层、再生长层和接触层；发光区域包括至少两个发光单元，各发光单元分别包括有源区，相邻发光单元之间设有隧道结，并通过隧道结电连接形成级联结构；光栅层包括下间隔层、光栅结构和上间隔层；上间隔层、再生长层和接触层为同质材料，且再生长层的掺杂浓度介于上间隔层和接触层的掺杂浓度之间。该激光器在低阈值电流条件下具有优异的工作效率，级联结构有效降低寄生电容，且不影响分布式反馈结构在特定波长下的单模激射稳定性，再生长层的引入改善了器件的光束质量，具有高效率、高可靠性和高稳定性的优点。
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