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公开(公告)号:CN103351379A
公开(公告)日:2013-10-16
申请号:CN201310279133.2
申请日:2013-07-04
Applicant: 华侨大学
IPC: C07D333/38 , C30B7/06 , C30B29/54 , G02F1/361
Abstract: 本发明提供一种二阶非线性激光材料N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体及其生长方法和应用,所述该晶体属于正交晶系,空间群为P212121,Mr=1988.24,晶体学参数:Z=4,N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼分子由互为垂直的N-(2-噻吩甲酰)肼基平和丙酰基平面构成;其生长方法如下:在N-(2-噻吩甲酰)肼上引入丙酰基,然后将生成的N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶于仿醇混合溶剂中,并于室温下蒸发至饱和,取出饱和N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶液置于比色皿中,并施加36V的直流电压,蒸发,生长出籽晶,然后转移到培养槽,同样仿醇混合溶剂蒸发得到柱状晶体N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼。
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公开(公告)号:CN103351379B
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201310279133.2
申请日:2013-07-04
Applicant: 华侨大学
IPC: C07D333/38 , C30B7/06 , C30B29/54 , G02F1/361
Abstract: 本发明提供一种二阶非线性激光材料N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体的生长方法,所述该晶体属于正交晶系,空间群为P212121,Mr=198.24,晶体学参数:Z=4,N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼分子由互为垂直的N-(2-噻吩甲酰)肼基平和丙酰基平面构成;其生长方法如下:在N-(2-噻吩甲酰)肼上引入丙酰基,然后将生成的N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶于仿醇混合溶剂中,并于室温下蒸发至饱和,取出饱和N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼的同素异构体溶液置于比色皿中,并施加36V的直流电压,蒸发,生长出籽晶,然后转移到培养槽,同样仿醇混合溶剂蒸发得到柱状晶体N,N’-丙酰-(2-噻吩甲酰)肼。
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公开(公告)号:CN103351378A
公开(公告)日:2013-10-16
申请号:CN201310279096.5
申请日:2013-07-04
Applicant: 华侨大学
IPC: C07D333/38 , G02F1/361
Abstract: 本发明提供一种二阶非线性激光晶体N,N’-乙酰-(2-噻吩甲酰)肼晶体及其制备方法和应用,g该晶体属于正交晶系,空间群为C cc2,分子式C7H8N2O2S,Mr=184.21,晶体学参数:Z=8,所述N,N’-乙酰-(2-噻吩甲酰)肼分子由互为垂直的N-(2-噻吩甲酰)肼基平面和乙酰基平面构成;其制备方法如下:在N-(2-噻吩甲酰)肼上引入乙酰基,然后将生成的N,N’-乙酰-(2-噻吩甲酰)肼溶于仿醇混合溶剂中,且所述仿醇混合溶剂中氯仿∶甲醇=1∶1,并于室温下蒸发至近饱和,再置于10℃下缓慢蒸发得到片状晶体N,N’-乙酰-(2-噻吩甲酰)肼。本发明晶体熔点高,达到180.5-181.5℃,应用范围更广。
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