公开(公告)号：CN119673910B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510173617.1

申请日：2025-02-18

Applicant: 华侨大学

Inventor： 郭新华 ,  李浩铭 ,  张梓健 ,  李淳桢

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供了一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装，涉及芯片封装技术领域；该层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装包括两层层叠设置的具有上铜层、氮化硅陶瓷层以及下铜层的基板；其中，下基板包括的上铜层包括下基板上桥铜层和下基板下桥铜层，上基板包括设置于所述下基板上桥铜层上的上桥上基板，以及设置于所述下基板下桥铜层上的下桥上基板；所述下基板上桥铜和所述下基板下桥铜层上电连接设置有多个碳化硅芯片；如此实现电流在空间上的电路流动，从而抵消杂散电感。

公开(公告)号：CN119673910A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202510173617.1

申请日：2025-02-18

Applicant: 华侨大学

Inventor： 郭新华 ,  李浩铭 ,  张梓健 ,  李淳桢

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供了一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装，涉及芯片封装技术领域；该层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装包括两层层叠设置的具有上铜层、氮化硅陶瓷层以及下铜层的基板；其中，下基板包括的上铜层包括下基板上桥铜层和下基板下桥铜层，上基板包括设置于所述下基板上桥铜层上的上桥上基板，以及设置于所述下基板下桥铜层上的下桥上基板；所述下基板上桥铜和所述下基板下桥铜层上电连接设置有多个碳化硅芯片；如此实现电流在空间上的电路流动，从而抵消杂散电感。

公开(公告)号：CN119230516A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411729687.2

申请日：2024-11-29

Applicant: 华侨大学

Inventor： 郭新华 ,  张梓健 ,  李浩铭 ,  李淳桢

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/15 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供了一种氮化硅陶瓷层碳化硅芯片封装,涉及芯片封装技术领域，其包括氮化硅陶瓷基板，以及连接于所述氮化硅陶瓷基板上的碳化硅芯片模块；氮化硅陶瓷基板的设置充分发挥碳化硅功率器件的性能，模块的整体能耗得到了显著降低，使得其在相同的工作条件下能够更加高效地运作，减少了能源消耗；提升了运行效率，还延长了设备的使用寿命。此外，模块的最高工作结温也得到了有效提升，使其能够在更高温度环境中稳定工作。8字状的电流回路布局，不仅使模块的杂散电感降低了不少，还显著减少了工作中的电压尖峰，提升了模块的整体电气性能和可靠性。有效地减少了寄生效应对模块性能的负面影响，确保了模块在高频高功率条件下的稳定运行。