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公开(公告)号：CN118677571B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410807429.5
申请日：2019-07-15
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请公开了数据传输、编码方法、解码方法、装置、设备及存储介质。数据编码方法包括：第一电路接收第二电路通过以太网接口传输的第一数据流，第一数据流是采用RS码对原始数据进行编码得到的；第一电路对对所述第一数据流再次进行FEC编码，得到第二数据流。本申请提供了级联编码的方式，使得增益更高，简化FEC码型的转换过程，减少FEC码型转换时所要耗费的时延及设备功耗，提高数据可被传输的距离和速度。
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公开(公告)号：CN118868968A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411075505.4
申请日：2020-10-29
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种以太网的编码方法及装置，以期适应高带宽带来的更大的传输误码的场景。该方法为：发送端采用第一前向纠错码FEC码字对第一待编码信息进行编码，获得第一编码数据，所述第一前向纠错码FEC码字为里德所罗门前向纠错码RS‑FEC；所述发送端采用第二FEC码字对所述第一编码数据进行编码，获得第二编码数据；所述第二FEC码字的码长N和信息位长度K符合以下公式：#imgabs0#其中，所述M1为所述第一编码数据的吞吐率，所述M2为所述第二编码数据的吞吐率。
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公开(公告)号：CN117795121A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202180100853.0
申请日：2021-11-18
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供一种气相沉积设备及沉积薄膜的方法，涉及半导体技术领域，可以解决利用现有的气相沉积设备沉积薄膜时，后续工艺中待沉积件边缘区域需要去除的薄膜容易残留，进而成为各类缺陷的源头的问题。该气相沉积设备包括壳体、基座、原料放置台、绝缘挡板和挡板固定架。壳体内部形成有密闭的空腔，基座位于空腔内，基座具有承载面，承载面用于承载待沉积件；原料放置台位于所述空腔内，用于固定待沉积材料；绝缘挡板设置于基座和原料放置台之间，用于遮挡待沉积件的边缘区域；挡板固定架与绝缘挡板连接，用于固定绝缘挡板。
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公开(公告)号：CN117098390A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202210505369.2
申请日：2022-05-10
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请提供一种存储器及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于简化存储器的制备工艺，降低存储器的制备成本，提高存储器的良率。该存储器包括衬底、晶体管、第一介电层、第一连接部、接触部和第二介电层。晶体管位于衬底上，晶体管包括第一极。第一介电层位于晶体管上。第一连接部穿过第一介电层与第一极电连接。接触部位于第一连接部上，且与第一连接部电连接。接触部远离第一连接部的端面为第一端面，接触部的与第一连接部电连接的端面为第二端面，接触部还包括连接第一端面和第二端面的侧面，侧面为曲面。第二介电层的至少部分位于任意相邻的两个接触部之间。上述存储器应用于电子设备中，以提高电子设备的良率。
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公开(公告)号：CN116711079A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202180059847.5
申请日：2021-12-03
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 林军
IPC: H01L29/06
Abstract: 本申请的实施例提供一种场效应晶体管及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，可以提高p型场效应晶体管中沟道区的空穴迁移率。该场效应晶体管包括源区、漏区、多个沟道区及栅极区；沟道区包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层的材料包括硅锗，第二半导体层的材料包括锗；栅极区包裹多个沟道区，并填充多个沟道区之间的间隙；第一半导体层具有与多个沟道区层叠方向垂直的顶部表面和底部表面、与多个沟道区层叠方向平行的侧部表面，第二半导体层设置在第一半导体层的顶部表面、底部表面和侧部表面上；或第二半导体层具有与多个沟道区层叠方向垂直的顶部表面和底部表面，第一半导体层覆盖第二半导体层的顶部表面和/或底部表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116670816A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180044006.7
申请日：2021-12-27
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，能够降低等效氧化物厚度(EOT)。该半导体器件包括采用高介电常数金属栅结构(HKMG)的晶体管。其中，高介电常数金属栅结构包括介电层，高介电常数氧化物层，复合层。高介电常数氧化物层覆盖在介电层上。复合层覆盖在高介电常数氧化物层上，复合层中包括依次层叠设置的第一金属氧化物层、第一金属层、第二金属氧化物层。第一金属氧化物层和第二金属氧化物层均包括导电的金属氧化物，且第一金属氧化物层、第一金属层、第二金属氧化物层中包含的金属元素相同。
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公开(公告)号：CN116648771A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202180044297.X
申请日：2021-12-24
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请实施例提供一种部件的制备方法、等离子体处理装置，涉及等离子体处理技术领域，用于解决如何提高等离子体处理装置中部件的耐用性的问题。等离子体处理装置，包括用于执行等离子体处理的腔室，以及至少有部分结构被暴露于腔室中的部件。部件包括：基体，覆盖在基体外表面的第一连接层，覆盖在第一连接层外表面的第一保护层。基体的材料包括第一金属离子；第一连接层的材料包括第一功能基团，第一功能基团具有与金属离子成键的功能；第一保护层的材料包括第一金属氧化物，第一金属氧化物包括第二金属离子，第一金属氧化物包括第二金属离子；其中，第一功能基团与基体中的第一金属离子和第一保护层中的第二金属离子分别成键。
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公开(公告)号：CN116547792A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180029169.8
申请日：2021-12-01
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请提供了一种使用等离子体清洗晶圆边缘的装置，该装置包括：固定组件，用于承载并固定晶圆的无源面；上绝缘组件，位于晶圆的有源面一侧区域，用于保护晶圆的有源面的核心区域，该上绝缘组件包括上绝缘环与绝缘盖板，该上绝缘环位于绝缘盖板的外侧，并与该绝缘盖板连接，其中，该上绝缘环与晶圆的有源面之间的距离可控，该上绝缘环包括密封环，该密封环包括柔性部件，该柔性部件用于使该密封环与晶圆的有源面柔性接触。通过上述装置，本申请能够实现有效改善或者避免晶圆表面形成金属腐蚀或者金属析出等现象，从而能够增强晶圆的良品率，以及提升晶圆品质。
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公开(公告)号：CN112491500B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202011166725.X
申请日：2017-07-07
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04L1/00
Abstract: 本申请提供了一种传输数据的方法和装置，发送设备获取第一母码，第一母码包括长度为k的信息符号序列和长度为n的校验符号序列，k≥1且k为整数，n≥1且n为整数；发送设备根据第一母码，生成N个子码，N≥2，且k不能被N整除，该N个子码中的第i个子码包括长度为ki的信息符号序列和长度为ni校验符号序列，i∈[1，N]，N个子码中的至少两个子码分别包括的信息符号序列中的信息符号的数量不同；发送设备向接收设备发送N个子码。通过使N个子码中的至少两个子码所包括的信息符号的数量不同，从而将该第一母码分为N个码长较短的子码，进而降低纠错过程中的解码延迟与解码功耗。
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公开(公告)号：CN110521152A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880026154.4
申请日：2018-02-14
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04L1/00
Abstract: 本申请提供了一种编码方法，包括：对第一数据使用第一编码方式进行编码，生成第一编码序列；对第二数据使用第二编码方式进行编码，生成第二编码序列，第一数据包括的比特的数目大于第二数据包括的比特的数目，第一编码序列包括的比特的数目与第二编码序列包括的比特的数目相等；对输入信号进行PAM-4调制，生成符号序列，输入信号包含第一编码序列与第二编码序列，第一编码序列对应输入信号的高位，第二编码序列对应输入信号的低位；发送符号序列。本申请提供的编码方法有助于减少冗余比特的数量，有助于提高码率，并且能够降低调制后的符号序列中携带的冗余信息。
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