公开(公告)号：CN118476032A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280087741.0

申请日：2022-03-25

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 鲁微 ,  马俊彩 ,  李水明 ,  马平

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请实施例提供了一种氮化镓场效应晶体管的结构和制备方法，该互补型场效应晶体管的结构包括：衬底；设置于衬底之上的第一外延结构；设置于第一外延结构之上的半导体层，半导体层的上表面设置有凹槽，凹槽的内壁设置有第一填充材料，第一填充材料的表面设置有第二填充材料；半导体层之上设置有第一源极结构、第一漏极结构和第一栅极结构，其中，第一源极结构和第一漏极结构分别设置于第一栅极结构的两侧、且互相隔离，第一栅极结构设置于第二填充材料之上，由此可以降氮化镓晶体管中导电沟道的电阻，以提高氮化镓晶体管的工作速度。

公开(公告)号：CN118116967A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202211521778.8

申请日：2022-11-30

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 李水明 ,  何涛 ,  李海军

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请实施例提供一种射频器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。射频器件包括衬底、电路结构、第一介质层、辅助电极和第二介质层。电路结构位于衬底的一侧，电路结构包括远离所述衬底的第一表面，第一表面包括台阶面，台阶面包括远离衬底一侧的凸起。第一介质层位于第一表面远离衬底的一侧。第一介质层包括远离衬底的第二表面。在垂直于衬底的方向上，第二表面中任意两点到衬底的上表面的距离之差小于或等于20nm。辅助电极包括相连接的第一子电极和第二子电极。第二介质层位于第一介质层远离衬底的一侧，且覆盖辅助电极。射频器件用于提高器件的防潮防水特性，提高器件的可靠性。射频器件应用于电子设备中，以提高电子设备的性能。

公开(公告)号：CN117941074A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202180102317.4

申请日：2021-09-15

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 张志利 ,  饶进 ,  刘涛 ,  李海军 ,  李水明 ,  鲁明

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低设置背孔对半导体器件带来的影响。半导体器件包括：衬底；沟道层和势垒层，依次层叠设置于衬底上；源极、栅极和漏极，设置于势垒层上；背孔，贯穿从衬底至源极下方的势垒层区域；背面导电层，覆盖于背孔和衬底的背面，源极与背面导电层接触连接。

公开(公告)号：CN118522760A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202310152448.4

申请日：2023-02-17

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 何涛 ,  李水明 ,  李海军

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件、电子设备及半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。提供一种可以压缩器件面积的半导体器件。该半导体器件包括衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面一侧设置有半导体功能层，正面电极设置在半导体功能层的远离衬底一侧，背电极设置在第二表面一侧；该半导体器件还包括导电层，导电层堆叠在半导体功能层和衬底之间，导电通孔经过半导体功能层电连接正面电极和导电层，背孔经过衬底，电连接导电层和背电极。本申请利用位于正面电极下方的导电通孔和堆叠设置的导电层，将正面电极电信号引流至背电极，这样不需要再设置面积较大的正面电极互联金属pad，从而，压缩该器件的面积，降低器件制造成本。

公开(公告)号：CN118215989A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202280076593.2

申请日：2022-02-28

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 李水明 ,  李海军 ,  张志利 ,  刘涛 ,  饶进

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772 ,  H01L29/768

Abstract: 本申请实施例提供了一种芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端，涉及半导体技术领域，可以确保外延层与源极导电层充分接触。该芯片包括第一晶体管和第二晶体管，该方法包括：在衬底(10)上形成依次层叠设置的外延层(11)和源极导电层(21)；外延层包括第一通孔，以形成第一晶体管的第一外延层(101)和第二晶体管的第二外延层(102)。源极导电层包括第一晶体管的第一源极(211)和第二晶体管的第二源极(212)。第一源极(211)的边沿与第一外延层(101)贴近第一通孔侧的边沿齐平，第二源极(212)的边沿与第二外延层(102)贴近第一通孔侧的边沿。在第一通孔中形成第一导电层(13)；第一导电层(13)与第一源极(211)和第二源极(212)接触；形成第二通孔；在第二通孔中形成第二导电层(14)，第二导电层(14)与第一导电层(13)接触、并接地。

公开(公告)号：CN116868334A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202180094101.8

申请日：2021-02-26

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 李水明 ,  王瑜 ,  马平 ,  鲁明 ,  汤岑 ,  张志利 ,  贺强 ,  李海军 ,  刘涛 ,  饶进

IPC: H01L23/373

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件、电子设备及半导体器件的制备方法，涉及芯片制造封装技术领域，用于在不增加尺寸的情况下，能够提高半导体器件的散热效率。该半导体器件包括：衬底、源极、漏极和栅极，以及槽；源极、漏极和栅极均形成在衬底上，衬底上的位于源极和漏极之间形成有有源区；槽开设在衬底内，槽与有源区之间具有间距；散热层形成在槽内，且散热层的热导率大于衬底的热采用此种半导体结构可以保障高功率密度的器件也具有很好的散热效果。

公开(公告)号：CN116529891A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202080107211.9

申请日：2020-12-15

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 张志利 ,  饶进 ,  刘涛 ,  李海军 ,  鲁微 ,  李水明 ,  汤岑 ,  贺强 ,  马俊彩 ,  樊春华 ,  术洋溢

IPC: H01L29/778

Abstract: 提供一种高电子迁移率晶体管(100)，包括依次层叠设置的GaN基材层(102)、势垒层(103)、电路层和场板(108)，GaN基材层(102)包括层叠设置的主体层(1021)和沟道层(104)，沟道层(104)邻接势垒层(103)，电路层包括源极(106)、漏极(105)和介质层(107)，介质层(107)设于源极(106)和漏极(105)之间，介质层(107)背离势垒层(103)的一侧设场板(108)，场板(108)在沟道层(104)上的正投影为场板(108)投影，沟道层(104)包括调制区(1041)和非调制区，非调制区包围调制区(1041)，调制区(1041)与场板(108)投影至少部分重合，调制区(1041)内的二维电子气的浓度小于非调制区内的二维电子气的浓度，从而能够提升了器件的器件增益及确保器件的高功率密度。同时还提供一种高电子迁移率晶体管(100)的制作方法、一种芯片和一种电子设备。