化合物及其应用
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118126068A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202211508703.6

    申请日:2022-11-28

    Abstract: 本申请实施例提供一种化合物,其具有如式(I)所示的通式:#imgabs0#式(I)中,M1、M2分别独立地为取代或未取代的芳环、或取代或未取代的芳杂环;Z为C‑R1或N,R1每次出现独立地选自氢原子、氘原子、氚原子、硼原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳氧基、取代或未取代的烷基胺基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的杂芳胺基等基团,相邻的R1可连接成环;i为0或1。该化合物具有良好的发光性能,能够提升发光器件性能。本申请实施例还提供了该化合物的应用。

    显示面板、显示屏和电子设备

    公开(公告)号:CN117998909B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202311104669.0

    申请日:2023-08-29

    Abstract: 本申请提供了一种显示面板、显示屏和电子设备,显示面板包括多个阳极、像素定义层、空穴功能层、多个发光层、至少一个有机连接层、电子功能层和阴极,多个阳极中的任意相邻的两个阳极均被像素定义层隔绝,多个阳极、空穴功能层、多个发光层、电子功能层和阴极依次层叠;每个有机连接层连接于相邻的两个发光层之间;每个有机连接层的材料包括主体材料和掺杂在主体材料中的掺杂材料,每个有机连接层在任一横向上的方阻均大于或等于1GΩ/□,其中,任一横向均垂直于有机连接层的厚度方向。本申请的方案能够改善像素间的横向串扰,还能够避免传统隔断式Tandem OLED方案的缺陷。

    化合物及其应用
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117143121A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202210539150.4

    申请日:2022-05-18

    Abstract: 本申请实施例提供一种化合物,该化合物为式(一)所示结构的多聚体:其中,M2、M3分别为取代或未取代的芳环、取代或未取代的杂芳环、或取代或未取代的脂肪环;Z为C(R1),Y为NR2、O、S或Se;R1、R2每次出现独立地选自氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环烷基等,相邻的R1可连接成环。该化合物具有良好的发光性能,可用于发光器件中提升发光器件性能。

    烧屏修复方法、电子设备及可读存储介质

    公开(公告)号:CN119274481A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202310835612.1

    申请日:2023-07-07

    Inventor: 徐增

    Abstract: 本申请实施例提供了一种烧屏修复方法、电子设备及计算机可读存储介质,应用于包含显示屏的电子设备,所述显示屏包括多个发光元件和烧屏区域,该方法包括:显示第一应用界面,第一应用界面包括调节控件;检测到用户对调节控件的第一操作;确定出第一操作对应的第一期望显示亮度;基于第一期望显示亮度,确定显示屏包括多个发光元件的激发电流,其中,多个发光元件包括第一发光元件和第二发光元件,第一发光元件位于烧屏区域中,第二发光元件位于烧屏区域外,并且确定的第一发光元件的第一激发电流和第二发光元件的第二激发电流不同。当用户在调节调节控件的过程中,观察到整个显示屏的显示亮度相同时,便完成了烧屏修复,使用便捷。

    显示面板、显示屏和电子设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119584772A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202410807734.4

    申请日:2024-06-20

    Inventor: 徐增 袁佳坤

    Abstract: 本申请涉及显示面板技术领域,公开了一种显示面板、显示屏和电子设备,显示面板。该显示面板的CGL包括依次层叠的N‑CGL、i‑CGL以及P‑CGL。其中,对应于i‑CGL采用有机材料,则该有机材料的LUMO能级小于或等于‑3.5eV;对应于i‑CGL采用无机材料,则无机材料的功函数大于或等于3.5eV。特别的,i‑CGL的费米能级低于P‑CGL主体材料的费米能级,并且,i‑CGL的厚度可以为小于或等于15nm(尤其是小于5nm)的任意值,在该情况下,N‑CGL、i‑CGL、P‑CGL在平行于CGL的厚度的方向的电荷生成能力获得提升,同时,在垂直于CGL的厚度的方向的方阻大于1GΩ/□,可以使得子像素实现高效率、低功耗发光,并且实现一个子像素从另一个子像素的驱动电压处分压得到的电压值较少,减少甚至消除子像素间的串扰。

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