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公开(公告)号：CN118535276A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310185054.9
申请日：2023-02-22
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F9/455
Abstract: 一种集群服务创建方法及装置，应用于多集群环境中的第一集群，用以通过中控组件维护集群节点中的跨集群服务资源与端点地址的映射关系。其中，多集群环境包括多个集群，第一集群为多个集群中的任一个集群。在该方法中，第一集群的第一中控组件创建第一跨集群服务资源；第一中控组件建立第一跨集群服务资源与第一端点地址的映射关系，第一端点地址用于表征第一集群内服务端的端点地址；第一中控组件将第一端点地址与第一跨集群服务资源的映射关系，同步到第一集群中的节点中，使得后续进行跨集群服务访问时，直接访问集群中的节点，无需在集群中设置边缘节点，从而可以提高跨集群服务访问的效率。
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公开(公告)号：CN114628512A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011475578.4
申请日：2020-12-14
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种HEMT器件、晶圆、封装器件及电子设备，HEMT器件包括：衬底、氮化物外延层、栅极结构层、场板层、第一漏电极、第二漏电极和第一绝缘介质层；栅极结构层包括第一半导体层，第一绝缘介质层覆盖栅极结构层的第二表面和部分第一表面，第一绝缘介质层的厚度小于第一半导体层的厚度；场板层包括：第一栅场板GFP和第一GFP延伸金属，第一GFP覆盖栅极结构层的部分第一表面、以及第一绝缘介质层的第二表面和部分第一表面，第一GFP延伸金属对称分布在第一GFP两侧，并覆盖第一绝缘介质层的部分第一表面。可以在实现双向关断的同时优化沟道电场，可以进一步缩小HEMT器件的元胞尺寸、降低器件的沟道电阻，进而减小HEMT器件的导通阻抗。
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公开(公告)号：CN118368292A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310090585.X
申请日：2023-01-17
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04L67/1042 , H04L67/563 , H04L61/5007 , H04L101/668
Abstract: 本申请实施例提供了一种通信方法和装置，包括：第一节点确定向第二节点发送国际互联网协议IP报文消息，第一节点属于第一集群，第二节点属于第二集群，第一集群属于多个集群，第二集群属于多个集群；第一节点通过第一插件代理向第二节点发送IP报文消息，第一插件代理用于根据第一节点对应的路由规则向第二节点发送IP报文消息。通过本申请实施例提供的方法，能够方便快速为IP报文寻址并建立通信链路，并减少IP报文转发次数减少，提升跨集群通信的效率。
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公开(公告)号：CN115706156A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110913394.X
申请日：2021-08-10
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/778 , H01L21/285 , H01L21/335
Abstract: 本申请涉及电子器件技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的外延结构；设置在外延结构上的钝化层；以及与所述钝化层并列设置在所述外延结构上的欧姆接触电极；其中，所述欧姆接触电极包括堆叠设置的非接触层和接触层，所述接触层与所述外延结构接触，且所述接触层的构成元素包括钽元素和锗元素。该半导体器件具有较低的欧姆接触电阻。
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公开(公告)号：CN114582864A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011379684.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/423 , H02J7/00
Abstract: 本申请提供了一种功率半导体器件及电子设备，功率半导体器件包括外延层以及两个场效应晶体管，外延层设置有一个沟槽，两个场效应晶体管镜像对称。每个场效应晶体管包括串联的第一MOS结构和第二MOS结构。第一MOS结构的第一沟道与第二MOS结构的第二沟道沿沟槽的深度方向间隔排列；第一MOS结构的第一栅极和第二MOS结构的第二栅极沿沟槽的深度方向间隔排列。在上述技术方案中，通过第一栅极和第二栅极沿所述沟槽深度方向纵向排布，从而减少场效应晶体管的横向占用的尺寸。第一MOS结构和第二MOS结构共享漂移区，降低了漂移区的电阻，并通过两个相同的场效应晶体管对称背靠背并联，降低了功率半导体器件单位面积特征导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114335166A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011066567.0
申请日：2020-09-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/808
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种高电子迁移率晶体管HEMT器件、晶圆、封装器件和电子设备，HEMT器件包括：衬底、氮化物外延层、栅极半导体结构、栅金属、源极结构和漏极结构；氮化物外延层设置在衬底上，栅极半导体结构、源极结构和漏极结构均设置在氮化物外延层的第一表面上；源极结构和漏极结构分布在栅极半导体结构两侧；栅极半导体结构包括第一半导体层和多个n型半导体，第一半导体层由p型氮化物生成且位于第一表面，多个n型半导体位于第一半导体层和栅金属之间，沿与栅宽方向平行的方向间隔排布。第一半导体层可以分别与多个n型半导体形成带正电的空间电荷区，以调节栅金属与栅极半导体结构的界面电场，从而抑制栅极泄漏电流。
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公开(公告)号：CN114335166B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202011066567.0
申请日：2020-09-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/808
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种高电子迁移率晶体管HEMT器件、晶圆、封装器件和电子设备，HEMT器件包括：衬底、氮化物外延层、栅极半导体结构、栅金属、源极结构和漏极结构；氮化物外延层设置在衬底上，栅极半导体结构、源极结构和漏极结构均设置在氮化物外延层的第一表面上；源极结构和漏极结构分布在栅极半导体结构两侧；栅极半导体结构包括第一半导体层和多个n型半导体，第一半导体层由p型氮化物生成且位于第一表面，多个n型半导体位于第一半导体层和栅金属之间，沿与栅宽方向平行的方向间隔排布。第一半导体层可以分别与多个n型半导体形成带正电的空间电荷区，以调节栅金属与栅极半导体结构的界面电场，从而抑制栅极泄漏电流。
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公开(公告)号：CN113114520A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010031034.2
申请日：2020-01-10
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 张栋梁
Abstract: 本申请实施例公开了一种传输数据的方法和终端，用于提高网络传输质量。本申请实施例中的方法包括：第一终端先根据当前时刻链路的性能指标确定链路的性能指标的变化规律，其中链路建立在第一终端与第二终端之间，然后根据性能指标的变化规律与第二终端传输数据，由于第一终端根据性能指标的变化规律可以预测性能指标的变化，所以可以在性能指标变化时采取相应的措施，以抑制性能指标的变化，保证网络传输质量，避免性能指标变化后采取措施带来的滞后性。
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公开(公告)号：CN119545909A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311077580.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 张栋梁
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体结构、半导体模组及电子设备，涉及电子技术领域，用于减小ESD防护的占用面积。半导体结构包括第一开关管、第二开关管及静电防护电路。静电防护电路包括控制电路和泄放电路。控制电路包括共用电路、第一分支电路和第二分支电路，共用电路和第一分支电路构成第一ESD控制电路，共用电路和第二分支电路构成第二ESD控制电路。泄放电路包括第一ESD泄放电路和第二ESD泄放电路。第一ESD控制电路和第一ESD泄放电路可实现对第一开关管的泄放，第二ESD控制电路和第二ESD泄放电路可实现对第二开关管的ESD泄放。共用电路的存在，可以使控制电路少设置一个或者多个共用电路对应的结构。泄放电路也可以包括共用部分，以减小静电防护电路的面积。
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公开(公告)号：CN114079968A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010846981.7
申请日：2020-08-21
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传输数据的方法和装置，该方法包括：发送端设备对数据信号进行压缩编码处理以生成多个数据帧，该多个数据帧中的至少一个第一数据帧包括第一信息和第二信息，该第一信息用于请求对至少一个第二数据帧进行超分处理，该第二信息用于指示超分处理的目标码率。通过在数据帧中携带指示超分处理的第一信息和用于指示该超分处理的目标码率的第二信息，能够使处理节点或接收端设备根据该第一信息和第二信息，确定需要对该数据帧中携带的信号进行超分处理，从而，无需各设备之间通过信令协商超分处理的相关信息，能够降低信令开销，并且，通过将用于超分处理的信息携带于数据帧，能够减小因协商超分处理的相关信息而导致的数据传输时延。
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