驱动电路、显示装置及电子设备

    公开(公告)号:CN114694572B

    公开(公告)日:2024-04-23

    申请号:CN202011581147.6

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本申请涉及一种驱动电路、显示装置及电子设备,驱动电路是显示装置的多级驱动电路中的一级,包括第一驱动单元和第二驱动单元,第一驱动单元包括驱动晶体管,第二驱动单元和第一驱动单元共同连接发光器件的阳极,第一驱动单元用于根据接收到的来自下一级驱动电路的第二驱动单元的电压控制驱动晶体管的栅源电压;第二驱动单元用于根据接收到的来自上一级驱动电路的电压控制发光器件的阳极电压。根据本申请实施例的驱动电路,在低灰阶下,发光器件能够快速启动,使得待显示的图像频率较高时发光器件也能迅速发光;并且,在待显示的图像频率较低时,避免图像产生残影。

    柔性显示面板、显示模组和移动终端

    公开(公告)号:CN113517410A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202010281037.1

    申请日:2020-04-10

    Abstract: 本申请提供一种柔性显示面板,包括基板及位于基板同一侧的挡坝和封装层,挡坝位于柔性显示面板的非显示区,且环绕柔性显示面板的显示区设置,挡坝背离基板的表面局部凹陷形成多个第一凹槽,沿挡坝的延伸方向上,多个第一凹槽彼此间隔排布,封装层覆盖基板和挡坝,且部分封装层填充多个第一凹槽。本申请所示柔性显示面板在弯曲的过程中,柔性显示面板的层结构之间不会发生错层而导致显示失效的问题,柔性显示面板始终可以正常显示。本申请还提供一种包括上述柔性显示面板的显示模组和移动终端。

    一种显示屏和电子设备
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113066818B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202010106846.9

    申请日:2020-02-20

    Abstract: 本申请实施例提供一种显示屏和电子设备,涉及显示技术领域。用于改善自发光显示屏在低频驱动下,功耗较大的问题。该显示屏包括多个亚像素、衬底、发光器件、像素电路和隔离部。其中,发光器件、像素电路和隔离部设置于衬底上,像素电路与发光器件相耦接,且位于亚像素内。像素电路包括第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管的有源层包括多晶硅,第二晶体管的有源层包括半导体氧化物。此外,隔离部包括隔离基底以及围设于隔离基底周边的隔离挡墙。第二晶体管的有源层设置于隔离挡墙和隔离基底形成的凹槽内,其中,隔离部至少用于阻隔第一晶体管的有源层中氢离子扩散至第二晶体管的有源层中。

    一种栅极驱动电路、显示面板及显示装置

    公开(公告)号:CN114446248A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202011199909.6

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 本申请实施例提供一种栅极驱动电路、显示面板及显示装置,栅极驱动电路用于为同时包括N型晶体管和P型晶体管的像素驱动电路提供扫描信号;移位寄存器包括与第一类扫描信号线电连接的高使能信号输出端及与第二类扫描线电连接的低使能信号输出端;其中,高使能信号输出端输出高电平信号的时间覆盖低使能信号输出端输出低电平信号的时间,且低使能信号输出端输出低电平信号的时间少于高使能信号输出端输出高电平信号的时间。本申请实施例提供的栅极驱动电路中,同一级的移位寄存器既可以输出低使能信号,又可以输出高使能信号,只需一组栅极驱动电路既可以完成对像素驱动电路的控制,无需复杂的算法且保证了显示面板及显示装置具有较窄的边框。

    一种栅极驱动电路、显示面板及显示装置

    公开(公告)号:CN114446248B

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202011199909.6

    申请日:2020-10-30

    Abstract: 本申请实施例提供一种栅极驱动电路、显示面板及显示装置,栅极驱动电路用于为同时包括N型晶体管和P型晶体管的像素驱动电路提供扫描信号;移位寄存器包括与第一类扫描信号线电连接的高使能信号输出端及与第二类扫描线电连接的低使能信号输出端;其中,高使能信号输出端输出高电平信号的时间覆盖低使能信号输出端输出低电平信号的时间,且低使能信号输出端输出低电平信号的时间少于高使能信号输出端输出高电平信号的时间。本申请实施例提供的栅极驱动电路中,同一级的移位寄存器既可以输出低使能信号,又可以输出高使能信号,只需一组栅极驱动电路既可以完成对像素驱动电路的控制,无需复杂的算法且保证了显示面板及显示装置具有较窄的边框。

    像素驱动电路及其驱动方法、显示面板和电子设备

    公开(公告)号:CN113948043B

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202010688078.2

    申请日:2020-07-16

    Abstract: 本申请实施例提供一种像素驱动电路及其驱动方法、显示面板和电子设备,涉及显示技术领域,提高驱动晶体管栅极电位稳定性,减少氧化物晶体管数量。像素驱动电路包括:驱动晶体管,栅极、第一极和第二极与第一、第二和第三节点连接;初始化模块,将复位信号写入第三节点和有机发光二极管的阳极,包括连接在第二开关晶体管与复位信号线之间的第三开关晶体管,为低温多晶硅晶体管;数据信号写入模块,将复位信号写入第一节点、数据信号写入驱动晶体管,包括串联设置、连接在第一节点与第三节点之间的第一和第二开关晶体管,第一开关晶体管连接在第二开关晶体管和第一节点之间,第一开关晶体管为低温多晶硅晶体管,第二开关晶体管为氧化物晶体管。

    薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板

    公开(公告)号:CN114792694A

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN202110028217.3

    申请日:2021-01-08

    Abstract: 本申请实施例提供本申请提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板,薄膜晶体管阵列基板中的薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极及漏电极、至少一个薄膜晶体管绝缘层;栅电极覆盖半导体层的沟道区,源电极及漏电极分别与半导体层的源区及漏区电连接;薄膜晶体管绝缘层位于半导体层所在膜层、栅电极所在膜层、源电极/漏电极所在膜层中的相邻两者之间;薄膜晶体管绝缘层中除接触孔之外的其他区域完全覆盖半导体层。在本申请实施例中,薄膜晶体管绝缘层除接触孔外为整面结构,也就是不会对该些绝缘层做图形化处理,因此可以极好的保护半导体层的完整性,确保薄膜晶体管的性能稳定。

    驱动电路、显示装置及电子设备

    公开(公告)号:CN114694572A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202011581147.6

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本申请涉及一种驱动电路、显示装置及电子设备,驱动电路是显示装置的多级驱动电路中的一级,包括第一驱动单元和第二驱动单元,第一驱动单元包括驱动晶体管,第二驱动单元和第一驱动单元共同连接发光器件的阳极,第一驱动单元用于根据接收到的来自下一级驱动电路的第二驱动单元的电压控制驱动晶体管的栅源电压;第二驱动单元用于根据接收到的来自上一级驱动电路的电压控制发光器件的阳极电压。根据本申请实施例的驱动电路,在低灰阶下,发光器件能够快速启动,使得待显示的图像频率较高时发光器件也能迅速发光;并且,在待显示的图像频率较低时,避免图像产生残影。

    像素驱动电路及其驱动方法、显示面板和电子设备

    公开(公告)号:CN113948043A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202010688078.2

    申请日:2020-07-16

    Abstract: 本申请实施例提供一种像素驱动电路及其驱动方法、显示面板和电子设备,涉及显示技术领域,提高驱动晶体管栅极电位稳定性,减少氧化物晶体管数量。像素驱动电路包括:驱动晶体管,栅极、第一极和第二极与第一、第二和第三节点连接;初始化模块,将复位信号写入第三节点和有机发光二极管的阳极,包括连接在第二开关晶体管与复位信号线之间的第三开关晶体管,为低温多晶硅晶体管;数据信号写入模块,将复位信号写入第一节点、数据信号写入驱动晶体管,包括串联设置、连接在第一节点与第三节点之间的第一和第二开关晶体管,第一开关晶体管连接在第二开关晶体管和第一节点之间,第一开关晶体管为低温多晶硅晶体管,第二开关晶体管为氧化物晶体管。

    一种显示屏和电子设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113066818A

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202010106846.9

    申请日:2020-02-20

    Abstract: 本申请实施例提供一种显示屏和电子设备,涉及显示技术领域。用于改善自发光显示屏在低频驱动下,功耗较大的问题。该显示屏包括多个亚像素、衬底、发光器件、像素电路和隔离部。其中,发光器件、像素电路和隔离部设置于衬底上,像素电路与发光器件相耦接,且位于亚像素内。像素电路包括第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管的有源层包括多晶硅,第二晶体管的有源层包括半导体氧化物。此外,隔离部包括隔离基底以及围设于隔离基底周边的隔离挡墙。第二晶体管的有源层设置于隔离挡墙和隔离基底形成的凹槽内,其中,隔离部至少用于阻隔第一晶体管的有源层中氢离子扩散至第二晶体管的有源层中。

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