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公开(公告)号：CN113228411B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201880100498.5
申请日：2018-12-28
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种TM模滤波器及其制造方法。该TM模滤波器包括：滤波器本体，包括滤波器腔体和盖板，具有中空的密闭空间；介质，位于该中空的密闭空间中；过渡层，用于将该介质与该滤波器本体连接在一起，该过渡层的热膨胀系数CTE介于该滤波器本体的CTE与该介质的CTE之间。由于本申请实施例中过渡层的CTE介于该滤波器本体的CTE与该介质的CTE之间，因此，本申请实施例能够解决CTE失配问题，实现介质与滤波器良好的接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113228411A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201880100498.5
申请日：2018-12-28
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种TM模滤波器及其制造方法。该TM模滤波器包括：滤波器本体，包括滤波器腔体和盖板，具有中空的密闭空间；介质，位于该中空的密闭空间中；过渡层，用于将该介质与该滤波器本体连接在一起，该过渡层的热膨胀系数CTE介于该滤波器本体的CTE与该介质的CTE之间。由于本申请实施例中过渡层的CTE介于该滤波器本体的CTE与该介质的CTE之间，因此，本申请实施例能够解决CTE失配问题，实现介质与滤波器良好的接触。
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公开(公告)号：CN116711212A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202180088327.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H03H9/17
Abstract: 本申请提供一种滤波器及其制作方法、电子设备，用于提高滤波器的功率，解决目前应用到手机等终端设备的滤波器，由于功率较低不能应用于基站的问题。该滤波器包括：碳化硅衬底、设置于碳化硅衬底一侧的声波反射层，以及设置于声波反射层远离碳化硅衬底一侧的金属电极。金属电极包括底部金属电极和顶部金属电极，且底部金属电极与顶部金属电极之间设置有压电功能层。该滤波器采用碳化硅衬底，碳化硅衬底可以实现更好的散热，具有更好的温度补偿，从而减少温飘，进而提高滤波器的功率，使其能够应用于更高功率的应用场景，如5G中的小基站或者微基站场景。
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公开(公告)号：CN101807930A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910105437.0
申请日：2009-02-13
Applicant: 华为技术有限公司
CPC classification number: H03H7/463 , H01P1/213 , H01P1/2136 , H01P1/2138 , H01P11/007 , H05K7/20409
Abstract: 本发明实施例涉及电子通信领域，尤其是一种基站射频双工器、射频模块和射频系统。本发明实施例提供的基站射频装置，包括：壳体，中射频处理单元和双工器；所述壳体组设于所述双工器上；所述中射频处理单元设于所述壳体与所述双工器围成的腔体内部，所述中射频处理单元也组设在所述双工器上；所述双工器的表面上设有双工器凹腔和散热部；所述双工器凹腔的开口与所述壳体相对或相背；所述散热部用于所述中射频处理单元的散热；所述双工器为一体成型。以上技术方案不需要外加紧固措施，减少了生产装配时间，同时，也不需要额外增加防水和屏蔽设计，提高了可靠性。
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