公开(公告)号：CN119997673A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202311483355.6

申请日：2023-11-08

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 竺士炀 ,  姚湛史 ,  王玉西 ,  涂正瑞 ,  周德

IPC: H10F77/40 ,  H10F30/223 ,  H04B10/11

Abstract: 本申请实施例提供了一种光芯片和相关设备，用于提高产品良率。本申请实施例提供的光芯片包括：衬底层、光电探测结构和第一波导。从衬底层到光电探测结构的方向为第一方向。光电探测结构包括沿第一方向依次排列的第一硅结构、锗结构和第二硅结构，第一硅结构、锗结构和第二硅结构在第一方向的不同层上。锗结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸。第一硅结构与第二硅结构为不同极性的掺杂硅，第一硅结构、锗结构和第二硅结构构成PIN光电二极管。第一波导位于衬底层与第一硅结构所在的层之间，或者与第一硅结构在同一层上。第一波导用于引导光信号在PIN光电二极管中沿第二方向传输。PIN光电二极管用于将光芯片的输入光信号转化为输出电信号。

公开(公告)号：CN117558779A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202210938393.5

申请日：2022-08-05

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 周德 ,  桂成程 ,  李洋

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18 ,  H04B10/60

Abstract: 本申请公开了一种光电探测器、其制备方法及光接收机。其中，光电探测器中包括至少一个PIN结，每一PIN结中包括半导体衬底；依次相邻设置的N型区、本征区、第一P型区、第二P型区和第三P型区，且半导体衬底在与第二P型区对应的区域具有凹槽；凹槽内设置有吸收层，吸收层的材料包括P型掺杂材料。当光被吸收层吸收并产生光生载流子后，在吸收层的P型掺杂的作用下，只有电子能够进入PIN结的耗尽区，从而可以缓解空间电荷效应，实现高功率。且由于吸收层与本征区之间间隔有第一P型区，可以利用吸收层的掺杂浓度调整第一P型区的掺杂浓度，从而可以调节本征区和吸收层的内部电场差异，进而提升响应度和宽带。

公开(公告)号：CN117170122A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202210590798.4

申请日：2022-05-27

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 周德 ,  桂成程 ,  宋小鹿

IPC: G02F1/015 ,  G02F1/03 ,  G02F1/035

Abstract: 本申请实施例公开了一种电光调制器和相关设备，用于实现良好的阻抗匹配，从而抑制正负电极之间的串扰，提升电光调制的效率和带宽。本申请实施例提供的电光调制器包括：传输线，包括正电极和负电极；正电极的一端连接信号输入端，另一端通过第一匹配电阻连接目标电阻；负电极的一端连接信号输入端，另一端通过第二匹配电阻连接目标电阻；第一匹配电阻和第二匹配电阻用于匹配传输线的奇模特征阻抗。光波导，包括第一支路和第二支路，第一支路和第二支路上的PN结分别与正电极和负电极耦合；第一支路的两端和第二支路的两端相互连接。目标电阻，用于匹配传输线的偶模特征阻抗，以及抑制从第一匹配电阻和第二匹配电阻到信号输入端的反向电信号。