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公开(公告)号:CN118867843A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202310477845.9
申请日:2023-04-26
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种激光器芯片、光发射组件和光模块,该激光器芯片包括:层叠设置的N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层,以及设置在该N型掺杂半导体层和该P型掺杂半导体层之间的多量子阱,通过对量子阱结构中的垒层厚度进行非均匀的设计,使得靠近N型半导体侧的垒层厚度大于靠近P型半导体侧的垒层厚度,或者,使得靠近N型半导体侧的垒层势垒高度大于靠近P型半导体侧的垒层势垒高度,可以减缓靠近N侧的高速电子注入,同时可以改善P侧的低速空穴的输运效率,由此提高了量子阱中载流子浓度和微分增益分布的均匀性,最终提高了器件的整体响应带宽。
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公开(公告)号:CN118507615A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202310151995.0
申请日:2023-02-15
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种发光芯片及其制备方法、光模块、显示模组、电子设备,涉及光通信和显示技术领域,用于减小发光芯片的发散角。发光芯片,包括:设置于衬底上的外延层、开设于外延层的多个凹槽以及覆盖多个凹槽的第二发光层,被第二发光层覆盖的多个凹槽形成光栅结构。其中,外延层被划分为第一区域和第二区域,第二区域环绕于第一区域的外围。多个凹槽开设于第二区域,且多个凹槽沿远离第一区域的方向排布。
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