激光器芯片、光发射组件和光模块

    公开(公告)号:CN118867843A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202310477845.9

    申请日:2023-04-26

    Abstract: 本申请实施例公开了一种激光器芯片、光发射组件和光模块,该激光器芯片包括:层叠设置的N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层,以及设置在该N型掺杂半导体层和该P型掺杂半导体层之间的多量子阱,通过对量子阱结构中的垒层厚度进行非均匀的设计,使得靠近N型半导体侧的垒层厚度大于靠近P型半导体侧的垒层厚度,或者,使得靠近N型半导体侧的垒层势垒高度大于靠近P型半导体侧的垒层势垒高度,可以减缓靠近N侧的高速电子注入,同时可以改善P侧的低速空穴的输运效率,由此提高了量子阱中载流子浓度和微分增益分布的均匀性,最终提高了器件的整体响应带宽。

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