公开(公告)号：CN116217213B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202310137794.5

申请日：2023-02-20

Applicant: 武汉纺织大学 ,  华中科技大学 ,  华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 杜康 ,  雷文 ,  汪胜祥 ,  周梦蝶 ,  温泰来 ,  刘哲宇

IPC: C04B35/195 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种超低介电常数的硅基微波介质陶瓷，上述硅基微波介质陶瓷以化学式为xBaO‑yMgO‑zAl2O3‑kSiO2的化合物制得，其主晶相的化学表达式为BaMg2Al6Si9O30。采用上述方法制备硅基微波介质陶瓷，克服了现有技术中需在高烧结温度下制备低热膨胀系数介质材料的缺陷，且制得的硅基微波介质陶瓷同时兼具超低的介电常数、优异的品质因数和近零的谐振频率温度系数与线性热膨胀系数的特性，具有主相成分稳定、批次稳定性较好、原料价格低廉且适合大规模生产的优点，是一种极具应用前景的材料。

公开(公告)号：CN113004028B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202110230008.7

申请日：2021-03-02

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 雷文 ,  杜康 ,  吕文中 ,  付明 ,  宋小强 ,  王飞

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/22 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，更具体地，涉及一种硅基低介微波介质陶瓷及其制备方法。将化学通式为xBaO‑yMO‑zSiO2(M＝Ca,Sr；0

公开(公告)号：CN114634352A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210219742.8

申请日：2022-03-08

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 雷文 ,  杜康 ,  吕文中 ,  宋小强 ,  付明 ,  王晓川

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明属于低介微波介质陶瓷技术领域，更具体地，涉及一种硅锗基低介微波介质陶瓷及其制备方法。将化学通式为xBaO‑MO2‑3NO2(M＝SnyZrzHfk；N＝Si1‑lGel；y+z+k＝1；0

公开(公告)号：CN113004028A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110230008.7

申请日：2021-03-02

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 雷文 ,  杜康 ,  吕文中 ,  付明 ,  宋小强 ,  王飞

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/22 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，更具体地，涉及一种硅基低介微波介质陶瓷及其制备方法。将化学通式为xBaO‑yMO‑zSiO2(M＝Ca,Sr；0

公开(公告)号：CN116217213A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310137794.5

申请日：2023-02-20

Applicant: 武汉纺织大学 ,  华中科技大学 ,  华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 杜康 ,  雷文 ,  汪胜祥 ,  周梦蝶 ,  温泰来 ,  刘哲宇

IPC: C04B35/195 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种超低介电常数的硅基微波介质陶瓷，上述硅基微波介质陶瓷以化学式为xBaO‑yMgO‑zAl2O3‑kSiO2的化合物制得，其主晶相的化学表达式为BaMg2Al6Si9O30。采用上述方法制备硅基微波介质陶瓷，克服了现有技术中需在高烧结温度下制备低热膨胀系数介质材料的缺陷，且制得的硅基微波介质陶瓷同时兼具超低的介电常数、优异的品质因数和近零的谐振频率温度系数与线性热膨胀系数的特性，具有主相成分稳定、批次稳定性较好、原料价格低廉且适合大规模生产的优点，是一种极具应用前景的材料。