-
公开(公告)号：CN114970840A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210534314.4
申请日：2022-05-17
Abstract: 本发明公开了一种不规则放电仿生神经元电路及其放电仿生方法，属于类脑仿生技术领域；包括：易失性忆阻器M1、电容C1、电阻R1和反馈模块；其中，易失性忆阻器M1的阈值电压和保持电压具有随机性，且易失性忆阻器M1的所有保持电压中存在小于Vmin的保持电压；本发明基于易失性忆阻器M1阈值电压的随机性，使得每输出一个动作电位所需的充电时间不同；与此同时，基于易失性忆阻器M1保持电压的随机性将动作电位信号的静息状态发生时机随机化，并通过反馈模块监控动作电位信号的状态，当动作电位信号处于静息状态后，经过随机的时间延迟后输出反馈信号到仿生神经元电路的输入端，以使动作电位信号脱离静息状态，最终电路实现持续发放不规则的动作电位信号。
-
公开(公告)号：CN114970840B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210534314.4
申请日：2022-05-17
Abstract: 本发明公开了一种不规则放电仿生神经元电路及其放电仿生方法，属于类脑仿生技术领域；包括：易失性忆阻器M1、电容C1、电阻R1和反馈模块；其中，易失性忆阻器M1的阈值电压和保持电压具有随机性，且易失性忆阻器M1的所有保持电压中存在小于Vmin的保持电压；本发明基于易失性忆阻器M1阈值电压的随机性，使得每输出一个动作电位所需的充电时间不同；与此同时，基于易失性忆阻器M1保持电压的随机性将动作电位信号的静息状态发生时机随机化，并通过反馈模块监控动作电位信号的状态，当动作电位信号处于静息状态后，经过随机的时间延迟后输出反馈信号到仿生神经元电路的输入端，以使动作电位信号脱离静息状态，最终电路实现持续发放不规则的动作电位信号。
-
公开(公告)号：CN113793899B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110961205.6
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明公开了一种基于调控导电丝生长的选择器性能优化方法及应用，包括：在选择器的阻变层和顶电极之间引入中间电极层；其中，顶电极中的活性电极材料为Ag或Cu；阻变层材料为薄层氧化物或经过氧处理的薄层二维材料；中间电极层材料为钛、钽、铝等活性电极材料；中间电极层与阻变层接触时，中间电极层中的活性电极材料会夺取阻变层中的氧发生氧化作用从而转变为非晶氧化层，以限制来源于顶电极中的活性阳离子迁移，从而限制导电丝的生长；且中间电极层为厚度不均的薄膜，与顶电极的接触面不平整，使得顶电极与阻变层之间形成点接触，导电丝生长倾向于在点接触处发生，进一步限制了导电丝生长的随机性；本发明工艺简单，大大改善了选择器的性能。
-
公开(公告)号：CN113793899A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110961205.6
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于调控导电丝生长的选择器性能优化方法及应用，包括：在选择器的阻变层和顶电极之间引入中间电极层；其中，顶电极中的活性电极材料为Ag或Cu；阻变层材料为薄层氧化物或经过氧处理的薄层二维材料；中间电极层材料为钛、钽、铝等活性电极材料；中间电极层与阻变层接触时，中间电极层中的活性电极材料会夺取阻变层中的氧发生氧化作用从而转变为非晶氧化层，以限制来源于顶电极中的活性阳离子迁移，从而限制导电丝的生长；且中间电极层为厚度不均的薄膜，与顶电极的接触面不平整，使得顶电极与阻变层之间形成点接触，导电丝生长倾向于在点接触处发生，进一步限制了导电丝生长的随机性；本发明工艺简单，大大改善了选择器的性能。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.028 seconds)
