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公开(公告)号：CN116306411A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310243233.3
申请日：2023-03-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/331 , G06F30/392 , G06F119/08 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠芯片热仿真模型建立及热点温度预测方法，属于集成电路领域，可以通过建立三维堆叠芯片的热仿真模型，充分考虑多种影响因素，并基于模型进行仿真计算，得到3D芯片模型在环境温度和对流传热冷却条件下的温度分布及热点温度信息，从而有效提升建模分析方法的利用效率，有助于对三维堆叠芯片的布局规划提供更为准确的依据，同时在对热点温度信息进行预测时，可以将三维堆叠芯片在实际过程中的封装工艺以及热传感器的测量误差考虑进去，从而使得对于热点温度的预测更为精确。
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