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公开(公告)号：CN113346016A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110553812.9
申请日：2021-05-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种忆阻器及其制备方法，由上至下包括：上电极、第一空位浓度阻变层、第二空位浓度阻变层以及下电极；第一空位浓度阻变层的空位浓度为固定浓度值或者浓度从高至低梯度变化；第二空位浓度阻变层的空位浓度为固定浓度值或者浓度从高至低梯度变化；第一空位浓度阻变层和第二空位浓度阻变层的阻变材料相同；第一空位浓度阻变层的固定浓度值或最低空位浓度值大于第二空位浓度阻变层的固定浓度值或最高空位浓度值。本发明通过梯度调制阻变材料，多层复合阻变材料由高空位浓度层到低空位浓度层，保证外部施加电场分布局域化。
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公开(公告)号：CN113517397B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110639876.0
申请日：2021-06-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器，包括：制备下电极；在下电极上沉积阻变材料层；在阻变材料层上沉积上电极：采用磁控溅射方式沉积上电极，通过控制溅射功率以控制上电极金属粒子具备合适的动能，并控制上电极和阻变材料层所处区域的真空度，以使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积上电极；或选用相比阻变材料层金属元素活性高的材料作为上电极的金属材料，使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积出上电极。本发明提高了双极选通器件的性能。
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公开(公告)号：CN112467028B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202011317620.X
申请日：2020-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法，属于超声应用领域。本发明通过压电衬底在两对叉指电极产生的电场作用下，同时激发XY平面内振动、相位相同的两个声表面波，阵列中每个处于初始超高阻态的阻变存储器在两个声表面波于中间区域叠加形成的驻波声场作用下，驻波声场在XY平面拉伸阻变存储器功能层，有利于软介电击穿，“电形成”过程所需平均电压明显降低，提高存储阵列可靠性。处于低阻态的阻变存储器在第一声表面波和第二声表面波在中间区域叠加形成的驻波声场作用下，对其施加负电压进行复位操作，器件回到高阻态，撤掉超声信号，器件高阻进一步增大，对器件进行正常置位操作，从而显著提高阻变存储器开关比，提高存储容量。
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公开(公告)号：CN113517397A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110639876.0
申请日：2021-06-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器，包括：制备下电极；在下电极上沉积阻变材料层；在阻变材料层上沉积上电极：采用磁控溅射方式沉积上电极，通过控制溅射功率以控制上电极金属粒子具备合适的动能，并控制上电极和阻变材料层所处区域的真空度，以使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积上电极；或选用相比阻变材料层金属元素活性高的材料作为上电极的金属材料，使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积出上电极。本发明提高了双极选通器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110827898B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910999054.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明属于微电子器件领域，提供了一种基于忆阻器的电压‑电阻式可逆逻辑电路及其操作方法。利用忆阻器阵列，包括字线、位线、忆阻单元和接地电阻，忆阻单元用作运算单元，包括输入单元和输出单元；各忆阻单元一端与字线连接，另一端与相应的位线连接，字线另一端与接地电阻连接；输入单元用于写入相应的输入信号，位线用于接收操作电压信号，运算结果以电阻的形式存于输出单元；本发明基于电压‑电阻逻辑，使用电压‑电阻信号同时参与运算的逻辑操作方式。电路结构具有可重构性，可逆运算不会存在信息丢失带来的能量损耗，且运算只需一步，减小了累积误差。
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公开(公告)号：CN109634557B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811379932.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F7/523
Abstract: 本发明公开了一种基于1T1R存储器的乘法器及运算方法，乘法器包括：1T1R矩阵A1、1T1R矩阵A2、1T1R矩阵A3以及外围电路；1T1R矩阵用于实现运算并存储运算结果，外围电路用于传输数据及控制信号，从而控制1T1R矩阵的运算及存储过程；运算电路分别用于实现或非布尔逻辑运算、二位二进制乘法器以及优化；运算电路对应的操作方法分别通过控制1T1R器件初始化的电阻状态、字线输入信号大小、位线输入信号大小以及源线输入信号大小来完成相应的运算及存储过程。本发明实现了计算与存储的融合，降低了集成电路的复杂性，可实现16种基本的布尔逻辑运算以及更为复杂的数字电路运算。
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公开(公告)号：CN112467028A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011317620.X
申请日：2020-11-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种超声提升阻变存储器可靠性和容量的方法，属于超声应用领域。本发明通过压电衬底在两对叉指电极产生的电场作用下，同时激发XY平面内振动、相位相同的两个声表面波，阵列中每个处于初始超高阻态的阻变存储器在两个声表面波于中间区域叠加形成的驻波声场作用下，驻波声场在XY平面拉伸阻变存储器功能层，有利于软介电击穿，“电形成”过程所需平均电压明显降低，提高存储阵列可靠性。处于低阻态的阻变存储器在第一声表面波和第二声表面波在中间区域叠加形成的驻波声场作用下，对其施加负电压进行复位操作，器件回到高阻态，撤掉超声信号，器件高阻进一步增大，对器件进行正常置位操作，从而显著提高阻变存储器开关比，提高存储容量。
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公开(公告)号：CN110827898A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910999054.6
申请日：2019-10-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明属于微电子器件领域，提供了一种基于忆阻器的电压-电阻式可逆逻辑电路及其操作方法。利用忆阻器阵列，包括字线、位线、忆阻单元和接地电阻，忆阻单元用作运算单元，包括输入单元和输出单元；各忆阻单元一端与字线连接，另一端与相应的位线连接，字线另一端与接地电阻连接；输入单元用于写入相应的输入信号，位线用于接收操作电压信号，运算结果以电阻的形式存于输出单元；本发明基于电压-电阻逻辑，使用电压-电阻信号同时参与运算的逻辑操作方式。电路结构具有可重构性，可逆运算不会存在信息丢失带来的能量损耗，且运算只需一步，减小了累积误差。
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公开(公告)号：CN109634557A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811379932.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F7/523
CPC classification number: G06F7/523
Abstract: 本发明公开了一种基于1T1R存储器的乘法器及运算方法，乘法器包括：1T1R矩阵A1、1T1R矩阵A2、1T1R矩阵A3以及外围电路；1T1R矩阵用于实现运算并存储运算结果，外围电路用于传输数据及控制信号，从而控制1T1R矩阵的运算及存储过程；运算电路分别用于实现或非布尔逻辑运算、二位二进制乘法器以及优化；运算电路对应的操作方法分别通过控制1T1R器件初始化的电阻状态、字线输入信号大小、位线输入信号大小以及源线输入信号大小来完成相应的运算及存储过程。本发明实现了计算与存储的融合，降低了集成电路的复杂性，可实现16种基本的布尔逻辑运算以及更为复杂的数字电路运算。
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