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公开(公告)号：CN113507205B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110851319.5
申请日：2021-07-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制MMC共模传导EMI的控制方法、控制器及控制系统，所述控制方法包括：生成第一触发脉冲，以第一触发脉冲控制第一桥臂各子模块的投切状态；对第一触发脉冲取反，得到第二触发脉冲，以第二触发脉冲控制第二桥臂各子模块的切投状态；其中，所述第一桥臂和所述第二桥臂的其中一个桥臂为上桥臂，另一个桥臂为下桥臂。通过上述控制方法，能够使得一相对应的等效干扰源将不再受到子模块开关状态的影响，只和第一桥臂投入的子模块数量相关，从源头上抑制了MMC共模干扰源，降低了共模传导电流，抑制了共模传导EMI。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113507205A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110851319.5
申请日：2021-07-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制MMC共模传导EMI的控制方法、控制器及控制系统，所述控制方法包括：生成第一触发脉冲，以第一触发脉冲控制第一桥臂各子模块的投切状态；对第一触发脉冲取反，得到第二触发脉冲，以第二触发脉冲控制第二桥臂各子模块的切投状态；其中，所述第一桥臂和所述第二桥臂的其中一个桥臂为上桥臂，另一个桥臂为下桥臂。通过上述控制方法，能够使得一相对应的等效干扰源将不再受到子模块开关状态的影响，只和第一桥臂投入的子模块数量相关，从源头上抑制了MMC共模干扰源，降低了共模传导电流，抑制了共模传导EMI。
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公开(公告)号：CN115733344A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211459988.9
申请日：2022-11-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M1/12 , H02M1/088 , H02M7/5387 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种MMC共模电压抑制方法、装置及系统，属于电压变换器领域，方法包括：根据MMC所采用的调制策略，为MMC构建多组备选开关矢量；分别计算每组备选开关矢量下，三相上桥臂或下桥臂中MMC子模块投入数量的和，将和为3N/2‑1、3N/2、3N/2+1的备选开关矢量分别分为第I、II、III类；计算每组备选开关矢量下，MMC交流侧实际输出向量相对于目标调制向量的偏差；若最小偏差对应的备选开关矢量为第II类，根据最小偏差对应的备选开关矢量控制MMC，否则，根据最小偏差对应的备选开关矢量下是否能抑制环流，选择相应的备选开关矢量控制MMC。抑制共模电压的同时，实现THD优化及环流抑制，无需增加额外的功率器件，适用于任意拓扑。
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公开(公告)号：CN111900873A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010845461.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M1/44 , H02M7/00 , H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种适用于SiC MMC的子模块对地电压跳变抑制方法，基于SiC器件低损耗、高开关频率的特性，仅仅修改了选取子模块投切部分的算法，保证每一次开关暂态过程都只有一对或者一个子模块进行投切，限制桥臂中所有位置的子模块对地电压跳变均为UC。该方法从控制角度出发，维持了子模块开关频率，不会降低输出波形质量；另外没有增加额外的功率器件，并不会对MMC上层控制造成影响；同时，不受子模块拓扑结构制约，适用于最基本的半桥拓扑结构，本发明所提方法应用场景丰富。
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公开(公告)号：CN115733344B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202211459988.9
申请日：2022-11-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M1/12 , H02M1/088 , H02M7/5387 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种MMC共模电压抑制方法、装置及系统，属于电压变换器领域，方法包括：根据MMC所采用的调制策略，为MMC构建多组备选开关矢量；分别计算每组备选开关矢量下，三相上桥臂或下桥臂中MMC子模块投入数量的和，将和为3N/2‑1、3N/2、3N/2+1的备选开关矢量分别分为第I、II、III类；计算每组备选开关矢量下，MMC交流侧实际输出向量相对于目标调制向量的偏差；若最小偏差对应的备选开关矢量为第II类，根据最小偏差对应的备选开关矢量控制MMC，否则，根据最小偏差对应的备选开关矢量下是否能抑制环流，选择相应的备选开关矢量控制MMC。抑制共模电压的同时，实现THD优化及环流抑制，无需增加额外的功率器件，适用于任意拓扑。
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公开(公告)号：CN111900873B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010845461.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M1/44 , H02M7/00 , H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种适用于SiC MMC的子模块对地电压跳变抑制方法，基于SiC器件低损耗、高开关频率的特性，仅仅修改了选取子模块投切部分的算法，保证每一次开关暂态过程都只有一对或者一个子模块进行投切，限制桥臂中所有位置的子模块对地电压跳变均为UC。该方法从控制角度出发，维持了子模块开关频率，不会降低输出波形质量；另外没有增加额外的功率器件，并不会对MMC上层控制造成影响；同时，不受子模块拓扑结构制约，适用于最基本的半桥拓扑结构，本发明所提方法应用场景丰富。
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