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公开(公告)号：CN119433714A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411482659.5
申请日：2024-10-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电材料领域，公开了一种光电半导体材料NaBiS2的制备方法，包括以下步骤：将原料Na2S粉末和原料Bi2S3粉末按照摩尔比1.00～1.10:1.00的比例称量，充分混合后，置于碳管中，再一同置于石英管中，抽真空后密封；将得到的真空密封石英管，在800℃‑900℃保温10‑12小时进行高温熔炼，即可获得NaBiS2材料熔炼铸锭。本发明通过对原料Na2S粉末和Bi2S3粉末的配比进行优化，在真空密封石英管内、在碳管保护下，使Na2S与Bi2S3发生高温熔炼反应，成功制得了具有光电特性的半导体材料NaBiS2。本发明利用高温熔炼实现固相反应，得到目标NaBiS2材料，制备便捷，可实现大规模制备。
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