公开(公告)号：CN103215528B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310090043.9

申请日：2013-03-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 缪向水 ,  吴戈 ,  汤清华 ,  魏维

IPC: C22C45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种镁基金属玻璃薄膜及其制备方法，它的化学通式为MgaCubYc，其中，a，b，c为原子百分比，46.30≤a≤58.01，24.61≤b≤28.96，13.18≤c≤24.74，且a+b+c=100。本发明还公开了一种镁基金属玻璃薄膜的制备方法，其采用磁控溅射制备得到，包括：将Mg、Cu和Y按一定配比制备成合金靶；使用单晶硅片及普通玻璃片作为薄膜的基底；将合金靶及薄膜基底放入溅射腔中，进行磁控溅射从而得到镁基金属玻璃薄膜。本发明使用磁控溅射方法制备金属玻璃薄膜只需普通的水冷即可获得超高冷却速率，非晶形成容易，通过单靶溅射，薄膜成分及厚度可调且制备成本较低。该镁基金属玻璃薄膜在非晶态及晶态电阻率和反射率存在有较大的差别，在相变光盘及相变存储器应用方面有很大前景。

公开(公告)号：CN103215528A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310090043.9

申请日：2013-03-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 缪向水 ,  吴戈 ,  汤清华 ,  魏维

IPC: C22C45/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种镁基金属玻璃薄膜及其制备方法，它的化学通式为MgaCubYc，其中，a，b，c为原子百分比，46.30≤a≤58.01，24.61≤b≤28.96，13.18≤c≤24.74，且a+b+c=100。本发明还公开了一种镁基金属玻璃薄膜的制备方法，其采用磁控溅射制备得到，包括：将Mg、Cu和Y按一定配比制备成合金靶；使用单晶硅片及普通玻璃片作为薄膜的基底；将合金靶及薄膜基底放入溅射腔中，进行磁控溅射从而得到镁基金属玻璃薄膜。本发明使用磁控溅射方法制备金属玻璃薄膜只需普通的水冷即可获得超高冷却速率，非晶形成容易，通过单靶溅射，薄膜成分及厚度可调且制备成本较低。该镁基金属玻璃薄膜在非晶态及晶态电阻率和反射率存在有较大的差别，在相变光盘及相变存储器应用方面有很大前景。