一种基于忆阻交叉阵列的LSTM神经网络系统

    公开(公告)号:CN109472348B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN201811236611.0

    申请日:2018-10-23

    Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻交叉阵列的LSTM神经网络系统,包括:输入层、特征提取层和分类输出层,特征提取层包括:数据存储器、第一忆阻交叉阵列、第一DA转换器和AD转换器,所述分类输出层包括:第二DA转换器、第二忆阻交叉阵列和电压比较器;所述第一忆阻交叉阵列,用于进行特征提取;所述第二忆阻交叉阵列,用于进行特征分类,所述电压比较器,用于对多个模拟电压进行比较,得到多个模拟电压的比较结果;将比较结果中的最大值作为输入层的数字信号的分类结果。本发明系统尺寸更小,功耗更低。

    一种基于忆阻交叉阵列的LSTM神经网络系统

    公开(公告)号:CN109472348A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201811236611.0

    申请日:2018-10-23

    Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻交叉阵列的LSTM神经网络系统,包括:输入层、特征提取层和分类输出层,特征提取层包括:数据存储器、第一忆阻交叉阵列、第一DA转换器和AD转换器,所述分类输出层包括:第二DA转换器、第二忆阻交叉阵列和电压比较器;所述第一忆阻交叉阵列,用于进行特征提取;所述第二忆阻交叉阵列,用于进行特征分类,所述电压比较器,用于对多个模拟电压进行比较,得到多个模拟电压的比较结果;将比较结果中的最大值作为输入层的数字信号的分类结果。本发明系统尺寸更小,功耗更低。

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