公开(公告)号：CN112198146B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202011058504.0

申请日：2020-09-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 舒学文 ,  韩孟孟 ,  朱泽策

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明属于光学微腔技术领域，具体涉及一种上转换光学微腔及其应用。本发明上转换光学微腔包括腔体，所述腔体由腔体介质制备而成，所述腔体介质包含光敏剂和湮灭剂，所述光敏剂的最低激发态能级高于所述湮灭剂的最低三重态能级，所述湮灭剂能够通过三重态‑三重态湮灭实现上转换。本发明充分利用微腔效应，使激发光在高、低折射率介质的界面上发生内全反射，形成回音壁模式，可充分增加激发光与上转换材料的相互作用，提高激发光的利用率，为TTA上转换的ISC过程提供足够多的单重激发态光子，进而有效增加上转换的量子产率。

公开(公告)号：CN112198146A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202011058504.0

申请日：2020-09-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 舒学文 ,  韩孟孟 ,  朱泽策

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明属于光学微腔技术领域，具体涉及一种上转换光学微腔及其应用。本发明上转换光学微腔包括腔体，所述腔体由腔体介质制备而成，所述腔体介质包含光敏剂和湮灭剂，所述光敏剂的最低激发态能级高于所述湮灭剂的最低三重态能级，所述湮灭剂能够通过三重态‑三重态湮灭实现上转换。本发明充分利用微腔效应，使激发光在高、低折射率介质的界面上发生内全反射，形成回音壁模式，可充分增加激发光与上转换材料的相互作用，提高激发光的利用率，为TTA上转换的ISC过程提供足够多的单重激发态光子，进而有效增加上转换的量子产率。