公开(公告)号：CN109771816B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN201910122802.2

申请日：2019-02-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 许赟 ,  徐坤 ,  徐硕 ,  陈俊语

IPC: A61N1/04

Abstract: 本发明公开了一种降低电极边缘电流密度的经颅电刺激电极，所述经颅电刺激电极由柱状导电材料和绝缘材料构成，其中，多个柱状导电材料由内到外同轴嵌套，同一电极中各柱状导电材料之间用绝缘材料隔离，各柱状导电材料的高度由内到外依次增大，最内层的柱状导电材料为实心柱状或者空心柱状，除最内层外的其他柱状导电材料均是空心柱状。本发明通过改变内外层柱状导电材料的高度，调节其与头皮接触面各点所在通路的阻抗使之匹配，实现各柱状体与头皮接触面的边缘电流密度均衡，降低了电极‑头皮接触面的边缘电流密度。从而降低了边缘电流密度过大带来的副作用，为更高的刺激电流幅值提供了可能的技术手段。

公开(公告)号：CN109771816A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910122802.2

申请日：2019-02-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 许赟 ,  徐坤 ,  徐硕 ,  陈俊语

IPC: A61N1/04

Abstract: 本发明公开了一种降低电极边缘电流密度的经颅电刺激电极，所述经颅电刺激电极由柱状导电材料和绝缘材料构成，其中，多个柱状导电材料由内到外同轴嵌套，同一电极中各柱状导电材料之间用绝缘材料隔离，各柱状导电材料的高度由内到外依次增大，最内层的柱状导电材料为实心柱状或者空心柱状，除最内层外的其他柱状导电材料均是空心柱状。本发明通过改变内外层柱状导电材料的高度，调节其与头皮接触面各点所在通路的阻抗使之匹配，实现各柱状体与头皮接触面的边缘电流密度均衡，降低了电极-头皮接触面的边缘电流密度。从而降低了边缘电流密度过大带来的副作用，为更高的刺激电流幅值提供了可能的技术手段。

公开(公告)号：CN210542881U

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201920208018.9

申请日：2019-02-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 许赟 ,  徐坤 ,  徐硕 ,  陈俊语

IPC: A61N1/04

Abstract: 本实用新型公开了一种降低电极边缘电流密度的经颅电刺激电极，所述经颅电刺激电极由柱状导电材料和绝缘材料构成，其中，多个柱状导电材料由内到外同轴嵌套，同一电极中各柱状导电材料之间用绝缘材料隔离，各柱状导电材料的高度由内到外依次增大，最内层的柱状导电材料为实心柱状或者空心柱状，除最内层外的其他柱状导电材料均是空心柱状。本实用新型通过改变内外层柱状导电材料的高度，调节其与头皮接触面各点所在通路的阻抗使之匹配，实现各柱状体与头皮接触面的边缘电流密度均衡，降低了电极‑头皮接触面的边缘电流密度。从而降低了边缘电流密度过大带来的副作用，为更高的刺激电流幅值提供了可能的技术手段。