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公开(公告)号：CN105955891A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610259384.8
申请日：2016-04-25
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F21/79
Abstract: 本发明公开了一种双层磨损均衡方法及系统，适用于相变存储器内存。该方法具体为：外层负责整个内存存储区域逻辑地址到中间地址的映射，通过增加密钥的复杂度，可以在恶意程序探测出完整的密钥前变换密钥；内层负责在每个子区域内使用独立的代数磨损均衡方法，在低开销的情况下达到区域内的磨损均衡，解决由于相变存储器存在复位和置位操作的延时差别而泄露磨损均衡算法的密钥，降低内存系统安全性的问题。
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公开(公告)号：CN105068938B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201510490972.8
申请日：2015-08-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多层单元的非易失内存系统的磨损均衡方法。包括：将非易失内存系统的存储区域的每个晶元划分为多个子存储区域；对每个子存储区域，在其每执行P个写请求之后，使用基于代数的磨损均衡算法随机交换该子存储区域的物理行中的数据；在非易失内存系统的存储区域每执行T个写请求之后，从各子存储区域中选取一个“热”子存储区域和一个“冷”子存储区域进行数据交换；其中，T为区域交换间隔，为预定值或随机数，“热”子存储区域是指累积写次数较多的子存储区域，“冷”子存储区域是指累积写次数较少的子存储区域。本发明结合了基于表格的磨损均衡算法和基于代数的磨损均衡算法的优势，具有高寿命和安全可靠的优点。
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公开(公告)号：CN105068938A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510490972.8
申请日：2015-08-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多层单元的非易失内存系统的磨损均衡方法。包括：将非易失内存系统的存储区域的每个晶元划分为多个子存储区域；对每个子存储区域，在其每执行P个写请求之后，使用基于代数的磨损均衡算法随机交换该子存储区域的物理行中的数据；在非易失内存系统的存储区域每执行T个写请求之后，从各子存储区域中选取一个“热”子存储区域和一个“冷”子存储区域进行数据交换；其中，T为区域交换间隔，为预定值或随机数，“热”子存储区域是指累积写次数较多的子存储区域，“冷”子存储区域是指累积写次数较少的子存储区域。本发明结合了基于表格的磨损均衡算法和基于代数的磨损均衡算法的优势，具有高寿命和安全可靠的优点。
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公开(公告)号：CN105955891B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610259384.8
申请日：2016-04-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双层磨损均衡方法及系统，适用于相变存储器内存。该方法具体为：外层负责整个内存存储区域逻辑地址到中间地址的映射，通过增加密钥的复杂度，可以在恶意程序探测出完整的密钥前变换密钥；内层负责在每个子区域内使用独立的代数磨损均衡方法，在低开销的情况下达到区域内的磨损均衡，解决由于相变存储器存在复位和置位操作的延时差别而泄露磨损均衡算法的密钥，降低内存系统安全性的问题。
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