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发明公开
一种脉冲强磁场透射光谱测量方法及系统审中-实审

公开(公告)号：CN118837317A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202411107683.0

申请日：2024-08-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李靖 , 赵国燚 , 张涛

IPC: G01N21/31 , G01N21/25 , G01N21/01 , G01D21/02

Abstract: 本发明公开了一种脉冲强磁场透射光谱测量方法及系统，属于光学测量技术领域，该方法将白光源导入作为脉冲强磁场下的微区测量光源的单模光纤，白光经过含有待测样品透射光路被回射，被回射的白光进入多模光纤进行回收；其中，回收的光通过光谱仪，经过处理的脉冲强磁场装置触发信号的触发下，获得携带脉冲强磁场下的待测样品的吸收光谱信息；对回收的携带脉冲强磁场下的待测样品的吸收光谱信息进行光谱测量，结合获得的脉冲强磁场下的待测样品的温度信息和磁场信息的测量结果，分析待测样品的物理性质。该方法能够实现微区测量。

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