公开(公告)号：CN115172357B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202210828305.6

申请日：2022-07-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  谢月 ,  张一凡 ,  康勇

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明公开了一种PCB+叠层DBC混合封装半桥型功率模块，包括上、下DBC基板，功率单元和开有窗口的PCB板。上DBC基板的上表面金属层包括正极金属层和输出极金属层；下DBC基板的上表面金属层为负极金属层，且下DBC基板的上表面的中心部分与上DBC基板的下表面焊接在一起，四周部分与PCB板下层焊盘焊接在一起；功率单元为半桥电路结构，包括上半桥臂开关管、上半桥臂二极管、下半桥臂开关管和下半桥臂二极管；PCB板包括上层焊盘和下层焊盘，其窗口用于内嵌功率单元。功率回路中利用多层换流回路实现互感抵消，降低了模块内部寄生电感；叠层DBC的中间铜层在顶部铜层与底部铜层之间形成屏蔽效应，实现输出极铜层与底部铜层之间的完全屏蔽，实现了极低寄生电容。

公开(公告)号：CN115172357A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210828305.6

申请日：2022-07-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  谢月 ,  张一凡 ,  康勇

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明公开了一种PCB+叠层DBC混合封装半桥型功率模块，包括上、下DBC基板，功率单元和开有窗口的PCB板。上DBC基板的上表面金属层包括正极金属层和输出极金属层；下DBC基板的上表面金属层为负极金属层，且下DBC基板的上表面的中心部分与上DBC基板的下表面焊接在一起，四周部分与PCB板下层焊盘焊接在一起；功率单元为半桥电路结构，包括上半桥臂开关管、上半桥臂二极管、下半桥臂开关管和下半桥臂二极管；PCB板包括上层焊盘和下层焊盘，其窗口用于内嵌功率单元。功率回路中利用多层换流回路实现互感抵消，降低了模块内部寄生电感；叠层DBC的中间铜层在顶部铜层与底部铜层之间形成屏蔽效应，实现输出极铜层与底部铜层之间的完全屏蔽，实现了极低寄生电容。