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公开(公告)号:CN107118335B
公开(公告)日:2019-03-05
申请号:CN201710412801.2
申请日:2017-06-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种异靛青‑双键‑异靛青类聚合物的合成方法及其应用,其结构通式I(IVI和F4IVI)所示,其中R指代C1~C60的直链或支链烷基。本发明还提供了结构通式I所示高分子聚合物的制备方法。原料是已经商业化的产品或有文献报道的产品,合成的路线比较简单,而且产率也比较高。以本发明的异靛青‑双键‑异靛青类聚合物为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率最高为1.03cm2V‑1s‑1,电子迁移率最高为1.82cm2V‑1s‑1,在有机场效应晶体管器件中有着良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN107118335A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:CN201710412801.2
申请日:2017-06-05
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: C08G61/126 , C08G61/124 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/146 , C08G2261/228 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/344 , C08G2261/354 , C08G2261/414 , C08G2261/514 , C08G2261/92 , H01L51/0032
Abstract: 本发明公开了一种异靛青‑双键‑异靛青类聚合物的合成方法及其应用,其结构通式I(IVI和F4IVI)所示,其中R指代C1~C60的直链或支链烷基。本发明还提供了结构通式I所示高分子聚合物的制备方法。原料是已经商业化的产品或有文献报道的产品,合成的路线比较简单,而且产率也比较高。以本发明的异靛青‑双键‑异靛青类聚合物为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率最高为1.03cm2V‑1s‑1,电子迁移率最高为1.82cm2V‑1s‑1,在有机场效应晶体管器件中有着良好的应用前景。
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